一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法技术

技术编号:9172802 阅读:187 留言:0更新日期:2013-09-19 22:17
一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率,同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明专利技术之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法,可有效提高输出功率,提升半导体激光器的可靠性。该钝化方法是在磁控溅射系统中,采用氩、氢混合等离子体去除激光器芯片解理面上的表面态,随后原位溅射一层ZnO薄膜作为钝化阻挡层,形成钝化膜后按照常规工艺镀制腔面增透膜和高反膜。该技术方案可应用于各类GaAs基半导体激光器制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法,该方法包括在磁控溅射系统内采用氩、氢混合等离子体分别对激光器前后腔面进行清洗,清洗后原位溅射ZnO钝化薄层,最后按常规工艺镀制前腔面增透膜和后腔面高反膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:薄报学周路王云华许留洋高欣乔忠良
申请(专利权)人:长春理工大学
类型:发明
国别省市:

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