用于受控层传送的方法技术

本发明专利技术涉及受控层传送的方法。该方法包括向基底基板提供应激层。应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分。然后，在基底基板的应激层部分上面施加散裂抑制体，然后，从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分。然后从原始的基底基板散裂位于应激层部分下面的基底基板的一部分。散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体。在散裂之后，从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件制造，并且，更特别地，涉及利用在基底基板的边缘附近形成的应激层的自钉扎应激层部分的受控层传送的方法。
技术介绍
通过使用受控散裂技术(controlled spalling technology)从脆性基板去除表面层有希望成为用于改变高效率光生伏打材料的成本结构以及启用半导体
中的新特征(例如，柔性光生伏打、柔性电路和显示器)的强大的方法。该技术的基础是在要被散裂的基底基板的表面上施加拉伸应激层(stressor layer)。拉伸应激层具有足以在基底基板中引起散裂模式断裂(spalling mode fracture)的组合的厚度和应力。在例如Bedell等的美国专利申请公开No. 2010/0311250中公开了这种散裂过程。 散裂的实验看起来表明这是关键的现象；在拉伸应激层中给定足够高的厚度和应力值，散裂模式断裂自发地出现。但是，存在亚稳态的适度较大的处理窗口。对于散裂模式断裂不稳定的应激厚度和应力组合将是“成核”或“初始限制的”。然后使用施加到应力/基板组合的表面的操作层，以控制导致从基底基板去除连续的表面层的起始和断裂扩展。专利
技术实现思路
本公开涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于受控层传送的方法，包括：向基底基板提供应激层，所述应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分；在应激层的应激层部分上面施加散裂抑制体；从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分；散裂应激层部分下面的基底基板的一部分，其中，所述散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体；和从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。

【技术特征摘要】
2011.06.14 US 13/159,8931.一种用于受控层传送的方法，包括 向基底基板提供应激层，所述应激层具有位于基底基板的上表面上面的应激层部分和位于与基底基板的各侧壁边缘相邻的自钉扎应激层部分； 在应激层的应激层部分上面施加散裂抑制体； 从应激层部分去耦合应激层的自钉扎应激层部分； 散裂应激层部分下面的基底基板的一部分，其中，所述散裂包含从应激层部分上面位移散裂抑制体；和 从基底基板的散裂部分上面去除应激层部分。2.根据权利要求I所述的方法，其中，基底基板具有小于应激层的断裂韧度。3.根据权利要求2所述的方法，其中，基底基板包含半导体材料。4.根据权利要求I所述的方法，其中，应激层部分和自钉扎应激层部分是单一的结构，并由相同的应激材料构成。5.根据权利要求I所述的方法，其中，应激层部分和自钉扎应激层部分是单独的部件，并由不同的应激材料构成。6.根据权利要求I所述的方法，其中，应激层部分具有一旦从自钉扎应激层部分去耦合并在位移散裂抑制体之后导致在底层的基底基板的一部分中出现散裂模式断裂的临界厚度和应力值。7.根据权利要求I所述的方法，其中，自钉扎应激层部分具有亚临界厚度和应力值，并且自钉扎应激层部分在基底基板的上表面上面向下保持应激层部分直到所述去耦合之后。8.根据权利要求I所述的方法，还包括在应激层的应激层部分与自钉扎应激层部分之间形成包含金属的粘接层。9.根据权利要求I所述的方法，其中，应激层的应激层部分与自...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·W·贝德尔，K·E·佛格尔，P·A·劳罗，D·A·萨达纳，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：