温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及晶体硅太阳能的制造,具体的说是一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法。通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。本发明在形成氮化硅膜层之前通入氢气,并将其电离,对电池片进行钝化,中和悬...该专利属于中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及晶体硅太阳能的制造,具体的说是一种采用增氢钝化提高太阳能电池片转换效率的方法。通过微波在太阳能电池片上沉积氢化的氮化硅膜层作为转换效率的表面钝化层和减反射层。本发明在形成氮化硅膜层之前通入氢气,并将其电离,对电池片进行钝化,中和悬...