【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型单晶薄膜太阳能电池的制备，属于电池材料生产
技术介绍
光伏电池可直接将太阳能转变成电能。大规模的光伏发电，目前技术上成熟，在市场上占主导地位的光伏电池仍是硅基光伏电池。由于晶体硅光伏电池的生产成本昂贵，制备工艺复杂，在大力推广中受到制约；非晶硅薄膜电池虽然在成本和工艺上比前者有优势，但由于材料固有的亚稳态和多缺陷的特性造成电池稳定性较低，大面积光电转换效率难以进一步提高，单晶铜硒铟薄膜太阳电池具有广阔的发展前景。单晶铜硒铟薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且具有与晶体硅一样的光照稳定性，因此被公认为高效、低耗的最理想的光伏器件材料。另一方面，大晶粒的铜硒铟薄膜具有与晶体硅可相比 拟的高迁移率，可以做成大面积、具有快速响应的场效应薄膜晶体管、传感器等光电器件，从而在开辟新一代大阵列的液晶显示技术、微电子技术中具有广阔应用前景。
技术实现思路
本专利技术是新型单晶薄膜太阳电池的制备，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数...
【技术保护点】
本专利技术是新型单晶薄膜太阳电池的制备，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CSI膜，这是因为在冷却成膜时，受到收缩应力的影响自然会使薄膜更紧密。制成的单晶薄膜太阳电池的效率为18.6％，填补国内外空白。
【技术特征摘要】
1.本发明是新型单晶薄膜太阳电池的制备，不同的衬底材料上生长的膜的形貌会有较大的差异，而衬底材料中所含的某些微量元素也会影响膜的质量。玻璃衬底内应含低的杂质浓度，应具有相对较好的导热性，且热膨胀系数稍大于CS...
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