一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备制造技术

本发明专利技术公开了一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备。设备包括连续式真空室、气路控制系统、电控系统、加热系统、镀膜系统、激光系统、抽气系统。其中真空室1为进片室，真空室2为缓冲室，真空室3为溅射镀铝膜室，真空室4为缓冲室，真空室5为激光掺杂室，真空室6为激光烧结室，真空室7为缓冲室，真空室8为出片室，进出片室装有可手动开关的真空门，同时可翻转进出片，缓冲室、镀膜室、激光掺杂室及激光烧结室设有预热系统。真空室之间以高真空阀门相联接，并具有可独立无级调速的传动系统。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池设备制造领域，尤其是一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备。
技术介绍
晶体硅太阳能电池是目前太阳能电池产业化的主流产品，其中丝网印刷然后烧结是其制备背电极的典型工艺。这道工艺对丝印设备要求较高，目前为止，国内太阳能电池生产厂家所选用的设备绝大多数都为国外设备。即使这样， 这道工序仍然是破片率最高的一道工序，对于太阳能电池的成品率极为关键。丝印中使用的铝浆或者银铝浆料随着晶体硅生产的扩大也变得非常紧俏，导致生产成本较高。同时，丝印时电极的厚度远远大于做为背电极所需的厚度，对于材料来说也是一种浪费。为了解决上述问题，以实现高效快速生产的同时又能节约材料，降低成本，发展出一种免接触式制备晶体硅电池背电极，采用真空镀膜及激光烧结相结合的方式实现晶体硅电池背电极的制备，从而简化了工艺流程，节省了电极材料，同时也降低了破片率，其中，针对于肖特基结的单面电极太阳能电池这种结构，利用这种新的工艺并且整合掺杂工艺，可设计出一种连续式设备，将镀铝膜工艺、肖特基结的制备及激光烧结工艺采用同一条生产线实现，以实现其大规模，自动化生产的需要。专利技术内容专利技术目的本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、镀膜系统、激光系统等，其特征在于镀膜系统采用溅射镀膜方式，用以在晶体硅表面均均布置铝电极材料；激光掺杂室中激光系统位于真空室上方，可对真空室内晶体硅表面的电极进行选择性加热使其渗入晶体硅片中形成肖特基结；激光系统位于激光烧结真空室正上方，可对真空室内的晶体硅表面的电极材料加热使其烧结成型；分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。

【技术特征摘要】
1.一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、镀膜系统、激光系统等，其特征在于 镀膜系统采用溅射镀膜方式，用以在晶体硅表面均均布置铝电极材料； 激光掺杂室中激光系统位于真空室上方，可对真空室内晶体娃表面的电极进行选择性加热使其渗入晶体娃片中形成肖特基结； 激光系统位于激光烧结真空室正上方，可对真空室内的晶体娃表面的电极材料加热使其烧结成型； 分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。2.如权利要求I所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于，进出片室、镀膜真空室和激光掺杂真空室、激光烧结真空室之间设置有缓冲室。3.如权利要求I所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于缓冲室、镀膜室、激光掺杂真空室、激光烧结室之中设有预热系统，可对基片加热。4.如权利要求I及权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：刘莹，
类型：发明
国别省市：