【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池，并且更具体地，本专利技术涉及具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池。
技术介绍
与其他能量源有所不同，太阳能电池(对具有无限的光子能量进行转换的光电转换设备)是环境友好的，并因此其重要性随着时间的推移不断增长。特别地，由于高的能源价格和化石燃料的缺乏，预计要更多地使用可再生能源，并且因为太阳能电池具有移动性和便携性方面的优势，使得对太阳能电池的依赖性会进一步增长。 太阳能电池具有PN结的结构，其中正型的半导体和负型的半导体彼此连接，并且当阳光入射到太阳能电池中，通过阳光中的能量在半导体中生成空穴和电子。在这种情况下，由于PN结中生成的电场，空穴移动至正型半导体层，而负电子移动至负型的半导体，从而使得形成了电势，由此产生电力。这样一种太阳能电池可被归类为基底型的太阳能电池和薄膜型的太阳能电池。基底型的太阳能电池能够通过使用半导体材料比如硅作为基底来制造，并且薄膜型的太阳能电池能够通过在由比如玻璃的材料所制成的基底上形成薄膜形的半导体来制造。与薄膜型的太阳能电池相比，基底型的太阳能电池更有效率，但此类基底型的太阳能电池具有在厚度最小化方面以及...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.06 KR 10-2010-00315471.一种太阳能电池，包括 PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层； 第一电极，其与所述PN半导体层的第一表面欧姆连接； 肖特基结层，其与所述PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面向所述PN半导体层的第一表面； 第二电极，其被形成接触所述肖特基结层；以及 重新结合防止层，其由绝缘材料形成，并且排列在所述肖特基结层和所述PN半导体层之间。2.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述重新结合防止层具有O.Inm至IOnm的厚度。3.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述N型半导体层被形成接触所述重新结合防止层。4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述肖特基结层具有比所述N型半导体层的溢出功更大的溢出功。5.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述P型半导体层被排列接触所述重新结合防止层。6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述肖特基结层具有比所述P型半导体层的溢出功更小的溢出功。7.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述肖特基结层由金属形成。8.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述肖特基结层由选自包括金属、ITO、ATO、IZOjP AZO的组的至少一种材料形成。9.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，所述PN半导体层由晶片形成。10.如权利要求I所述的太阳能电池,其中,所述PN半导体层由有机材料形成。11.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，反射防止层附接到所述肖特基结层。12.如权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述反射防止层由SiOx或SiN形成。13.如权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述反射防止层具有O.Inm至IOOnm的厚度。14.如权利要求I所述的太阳能电池，其中，透光基底被排列接触所述第一电极，并且所述PN半导体层包括P型半导体层、N型半导体层以及排列在所述P型半导体层和所述N型半导体层之间的本征(I)型半导体层。15.—种太阳能电池,包括 PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层； 第一电极，其与所述PN半导体层的第一表面欧姆连接； 肖特基结层，其与所述PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面向所述PN半导体层的第一表面的相反方向； 欧姆金属层，其与所述PN半导体层的第二表面欧姆连接，并且与所述肖特基结层平行排列； 第一正面电极，其形成在所述肖特基结层上； 第二正面电极，其形成在所述欧姆金属层上；第一接线，其电连接所述第二正面电极和所述第一电极；以及 第二接线，其电连接所述第一正面电极和所述第一电极。16.—种太阳能电池,包括 PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层； 第一欧姆金属层，其与所述PN半导体层的第一表面欧姆连接； 第一肖特基结层，其与所述PN半导体层的第一表面肖特基连接； 第二欧姆金属层，其与所述PN半导体层的第二表面欧姆连接，所述PN半导体层的第二表面面向所述PN半导体层的第一表面的相反方向； 第二肖特基结层，其与所述PN半导体层的第二表面肖特基连接； 第一正面电极，其形成在所述第一肖特基结层上； 第二正面电极，其形成在所述第一欧姆金属层上； 第一接线，其电连接所述第一正面电极和所述第二...
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