太阳能电池设备及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池设备及其制造方法。该太阳能电池设备包括：支撑衬底；布置在所述支撑衬底上的第一后电极；布置在所述第一后电极上的光吸收部；布置在所述光吸收部上的缓冲部；以及从所述缓冲部延伸并且布置在所述光吸收部的侧面上的阻挡膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种。
技术介绍
近来，随着对能源的需求增加，已经积极研制了将太阳能转换为电能的太阳能电池。具体地，已广泛使用基于铜铟镓硒(基于CIGS)的太阳能电池，所述太阳能电池是具有衬底结构的PN异质结设备。在本文中，所述衬底结构包括玻璃衬底、金属后电极层、P型基于CIGS的光吸收层、高阻缓冲层和N型窗ロ层
技术实现思路
技术问题实施例提供ー种阻止漏电流并且具有提高的光电转换效率的。技术方案在一个实施例中，ー种太阳能电池设备包括支撑衬底；布置在所述支撑衬底上的第一后电极；布置在所述第一后电极上的光吸收部；布置在所述光吸收部上的缓冲部；以及布置在所述光吸收部的侧面上并且从所述缓冲部延伸的阻挡膜。在另ー实施例中，ー种太阳能电池设备包括支撑衬底；布置在所述支撑衬底上的后电极层；光吸收层，布置在所述后电极层上，并且所述光吸收层中形成有贯穿槽；布置在所述光吸收层的上表面和所述贯穿槽的内表面上的缓冲层；以及布置在所述缓冲层上的窗ロ层。在又一实施例中，根据又ー实施例的制造太阳能电池设备的方法包括在支撑衬底上形成后电极层；在所述后电极层上形成光吸收层；在所述光吸收层上形成贯穿槽；在所述光吸收层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.24 KR 10-2010-00263801.一种太阳能电池设备，包括 支撑衬底； 布置在所述支撑衬底上的第一后电极； 布置在所述第一后电极上的光吸收部； 布置在所述光吸收部上的缓冲部；以及 布置在所述光吸收部的侧面上并且从所述缓冲部延伸的阻挡膜。2.根据权利要求I所述太阳能电池设备，进一步包括 布置在所述第一后电极旁边的第二后电极； 布置在所述缓冲部上的窗口 ；以及 从所述窗口延伸并且与所述第二后电极连接的连接部， 其中，所述阻挡膜布置在所述光吸收部和所述连接部之间。3.根据权利要求2所述太阳能电池设备，进一步包括沿所述第二后电极的上表面从所述阻挡膜延伸的虚设部。4.根据权利要求2所述太阳能电池设备，其中，所述阻挡膜布置在所述第一后电极和所述第二后电极之间。5.根据权利要求I所述太阳能电池设备，其中，所述缓冲部包括 布置在所述光吸收部上的第一缓冲部；以及 布置在所述第一缓冲部上的第二缓冲部，并且其中，所述阻挡膜包括 从所述第一缓冲部延伸的第一阻挡膜；以及 从所述第二缓冲部延伸的第二阻挡膜。6.根据权利要求5所述太阳能电池设备，其中，所述第一阻挡膜与所述第一缓冲部一体形成，并且所述第二阻挡膜与所述第二缓冲部一体形成。7.根据权利要求5所述太阳能电池设备，其中，所述第一阻挡膜包括硫化镉，并且所述第二阻挡膜包括未掺杂杂质的氧化锌。8.根据权利要求I所述太阳能电池设备，其中，所述阻挡膜比所述缓冲部厚。9.一种太阳能电池设备，包括 支撑衬底； 布置在所述支撑衬底上的后电极层； 光吸收层，布置在所述后电极层上，并且所述光吸收层中形成有第二贯穿槽； 布置在所述光吸收层的上表面和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：池奭宰，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：
国别省市：