肖特基结太阳能电池的电子栅改进制造技术

提供了用于肖特基结太阳能电池的不同系统和方法。在一个实施方式中，太阳能电池包括在半导体层上形成的网格层和在网格层上形成的离子层。离子层渗透通过网格层，并直接接触半导体层。在另一个实施方式中，太阳能电池包括在半导体层上形成的第一网格层、耦合到第一网格层的第一金属化层、通过栅电压耦合到第一金属化层的第二高表面面积导电电极、以及与第一网格层和第二高表面面积导电电极电通信的离子层。在另一个实施方式中，太阳能电池包括在半导体层上形成的栅格层以及与栅格层和半导体层电通信的离子层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】肖特基结太阳能电池的电子栅改进相关申请的交叉引用本申请要求于2010年4月27日提交的共同待审的美国临时申请第61/328，417号、标题为“肖特基结太阳能电池的电子栅改进(ELECTRONIC GATE ENHANCEMENT OFSCHOTTKY JUNCTION SOLAR CELLS)”的优先权，其全部内容据此以引用方式并入。联邦资助研究的声明本专利技术在ECCS-0824157协议下，通过国家科学基金会获得政府的支持。美国政府具有本专利技术的某些权益。附图简述本公开内容的许多方面可以通过参考以下附图来被更好地理解。附图中的组件不 必依照比例，反而，将重点放在清楚地示出本公开内容的原理上。此外，在附图中，相似的引用数字在几个图中标示对应的部分。图I是根据本公开内容的不同实施方式的太阳能电池的实施例的图示。图2A和2B是示出了根据本公开内容的不同实施方式的包含在图I太阳能电池中的金属和半导体的能级的能带图的实施例。图3是根据本公开内容的不同实施方式的图I的太阳能电池的实施方式的模拟的电流密度对电压(J-V)特性的实施例的图。图4和5是根据本公开内容的不同实施方式的在被照射时在图I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·G·林兹勒，波亚·瓦德瓦，郭京，薛京善，
申请(专利权)人：佛罗里达大学研究基金会公司，
类型：
国别省市：