薄膜太阳能电池的制作方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及薄膜太阳能电池的制作方法及系统。一种薄膜太阳能电池的制作方法包括以下步骤：在衬底上设定定位标记和分割轨迹；在衬底上沉积钼背电极，并根据所述定位标记进行定位，完成第一次划线；在所述钼背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层，并根据所述定位标记进行定位，完成第二次划线；在所述高阻层上沉积窗口层，并根据所述定位标记进行定位，然后完成第三次划线，形成电池样片；及根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。上述薄膜太阳能电池的制作方法，可以制作出所需形状的、子电池面积相等的薄膜太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制作技术，特别是涉及一种薄膜太阳能电池制作方法及系统。
技术介绍
薄膜太阳能电池通常包括衬底以及依次沉积于衬底的导电薄膜即背电极层、吸收太阳能产生载流子的半导体层和材料为透明导电氧化物的顶部电极层。铜铟镓硒(CIGS) 薄膜太阳能电池是最具有代表性的新型薄膜太阳能电池之一。CIGS薄膜太阳能电池包括衬底，以及依次沉积于衬底的Mo背电极层、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO高阻层以及AZO窗口层。其中Mo背电极层为导电薄膜层，CIGS光吸收层、CdS缓冲层与i_ZnO高阻层组成发电层，AZO窗口层为顶部电极层。为了在支取电流之下适当的提高开路电压，薄膜太阳能电池一般要分割成面积相等的子电池并相互进行串联，分割后的子电池具有大致相等的输出电流。划线单元用于通过划线法来实现不同功能层上子电池之间的分割。划线单元一般可以采用激光划线机，也可以采用机械划线机。例如CIGS薄膜太阳能电池的制作通常包括如下步骤首先，在衬底上沉积导电薄膜层，然后进行第一次划线P1，切断导电薄膜层并将导电薄膜层分割为多个面积相等的小块；其次，在上述导电薄膜层和划线Pi上沉积发电层，然后靠近并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据预先输入的薄膜太阳能电池的大小和形状以及衬底的大小和形状，在衬底上设定定位标记和裁剪的轨迹；在衬底上沉积钼背电极，在所述钼背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层，在所述高阻层上沉积窗口层，形成电池样片；根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 根据预先输入的薄膜太阳能电池的大小和形状以及衬底的大小和形状，在衬底上设定定位标记和裁剪的轨迹； 在衬底上沉积钥背电极， 在所述钥背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层， 在所述高阻层上沉积窗口层，形成电池样片； 根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。2.根据权利要求I所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述电池样片的面积小于200平方毫米。3.一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 根据预先输入的薄膜太阳能电池的大小和形状以及衬底的大小和形状，在衬底上设定定位标记和分割轨迹，所述分割轨迹包括三次划线的轨迹与一次裁剪的轨迹； 在衬底上沉积钥背电极，并根据所述定位标记进行定位，然后根据第一次划线的轨迹完成第一次划线； 在所述钥背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层，并根据所述定位标记进行定位，然后根据第二次划线的轨迹在所述高阻层完成深至所述钥背电极的第二次划线. 在所述高阻层上沉积窗口层，并根据所述定位标记进行定位，然后根据第三次划线的轨迹在所述窗口层上完成深至所述钥背电极的第三次划线，形成电池样片；及 根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述相邻的两个第三次划线之间围成的面积小于200平方毫米。5.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘壮，肖旭东，顾光一，贺凡，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，香港中文大学，
类型：发明
国别省市：