吡咯并[3,2-b]吡咯半导体化合物及采用该化合物的器件制造技术

本发明专利技术公开了具有一个或多个吡咯并[3,2-b]吡咯-2,5(1H,4H)-二酮-3,6-二基单元的半导体化合物。这样的化合物可以是单体化合物、寡聚物或聚合物，而且能够表现出合乎需要的电子特性并具有包括溶液加工性能在内的加工方面的优势和/或良好的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,2-b]吡咯半导体化合物及采用该化合物的器件的制作方法, 2-b]吡咯半导体化合物及采用该化合物的器件
技术介绍
新一代的光电子器件，如有机光伏(OPV)兀件、有机发光晶体管(OLETs)、有机发光二极管(OLEDs)、有机薄膜晶体管(OTFTs)、可印刷电路、电化学电容器和传感器，都是基于以有机半导体作为它们的活性组件而制得。为了实现晶体管/电路操作所需要的高器件效率，例如较大的电荷载流子迁移率(μ)，或者对于0LED/0PV操作所必需的高效的激子形成/分裂，需要同时使用P-型和η-型这两种有机半导体材料。此外，这些基于有机半导体的器件应该在环境条件下表现出令人满意的稳定性，并且应该可以以一种成本低廉的方式进行加工处理。例如，一种基准聚合物一区域等规(regioregular)聚(3-己基噻吩)(1Γ-Ρ3ΗΤ)，可以提供大约O. IcmVVs数量级的空穴迁移率以及大约IO5或更大数量级的电流调制，与无定形硅接近。对于基于rr-P3HT的OPV器件而言，已经有报道功率换能效率(PCEs)可以高达大约4%。然而，这种令人印象深刻的性能仅可以在严格的器件加工条件下取得。 因此，本领域需要有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕少峰，A·菲奇提，姚彦，M·椎斯，颜河，
申请(专利权)人：破立纪元有限公司，
类型：
国别省市：