纳流控二极管及其制作方法技术

技术编号:8162785 阅读:224 留言:0更新日期:2013-01-07 20:20
本发明专利技术公开了一种纳流控二极管,其包括纳米管道,所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成,所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明专利技术还提供了该纳流控二极管的制备方法,其主要是,首先应用光刻工艺和刻蚀工艺加工形成具有该纳流控二极管结构的衬底;然后将该衬底与PDMS材料层通过不可逆键合形成纳米管道,最后在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的带电基团。与现有技术相比,本发明专利技术提供的纳流控二极管结构简单,制作过程简便、成本低廉、重现性高、可反复使用、高离子强度溶液中整流效果好。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米加工
,具体的说,涉及一种。
技术介绍
随科技不断发展,人们已经从微流控领域进入更低尺度的纳流控领域,实现在纳米管道内流体控制,最典型的器件就是纳流控二极管。在生物体中有很多纳米孔道,比如细胞膜上的水通道、离子通道和核孔复合体,它们控制通过其内部的带电粒子来实现细胞的能量转换、细胞膜电位的调控、以及选择性物质转运。人工模拟生物体而制造的纳米管道具有高稳定性、可控的孔径和长度、可调节的表面性质、以及便于嵌入器件和组成阵列等优点。人工制造的纳米通道通常有较高的长宽比和宽高比,一般的分类认为,当有一个维度达到纳米级别时,既可以成为纳米管道。 在纳米管道内,分子、离子等主要受到静电力、范德华力、氢键、Pauli斥力的作用。如果管壁带有电荷,管内部的电解液内将会形成双电层。双电层的厚度与溶液中的离子强度有关,对于单价离子,当浓度从I到10_5 mol/T1,双电层厚度可以从3埃到100纳米。通过控制孔径和离子强度,可以改变管道内由双电层影响的电场分布,从而控制通过管道的带电粒子的种类和数量,实现离子分离、检测、能量转换和存储。还通过纳米管道的不对称化来控制阴阳离子在其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳流控二极管,包括纳米管道,其特征在于:所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成,所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:葛军卢威陈立桅
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
类型:发明
国别省市:

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