有机电致发光二极管的控制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种有机电致发光二极管的控制电路，其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管的第一源极／漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极／漏极，第二薄膜晶体管的第三源极／漏极电连接工作电压，第二薄膜晶体管的第四源极／漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于 一种制造有机电致发光二极管的方法，且特别是有关于 一种制造有机电致发光二极管的控制电路的方法。
技术介绍
有机电致发光二极管(Organic Electro-Luminescent Display; OLED)因本 身具有低成本、寿命长、低驱动电压、反应速度快、发光效率佳、耐温差及 耐震性、高视角及厚度薄等特性，因此近几年来，投入有机电致发光二极管 的组件研发的厂商数目愈来愈多，研发速度发展相当地快速，未来极有可能 取代目前的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)所扮演的主流地位。参照第1A 1E图，其示出了传统有机电致发光二极管的控制电路的制 造流程的剖面图。在第1A图中，首先形成第一栅极122、电容的下电极124 以及第二栅极126于绝缘基材110之上。接着在第1B图中，首先形成介电层130覆盖第一栅极122、电容的下 电极124以及第二栅极126，以作为第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管之片册 极介电层以及电容的介电层。再定义出第一沟道区142与第二沟道区146。在第1C图中，定义出蚀刻终止层150。此蚀刻终止层150位于部分第 一薄膜晶体管的柵极与第二薄膜晶体管的栅极的上方，以避免后续蚀刻工艺 的影响。参照第1D图，首先形成掺杂半导体层160覆盖于绝缘基材110上。接 着图案化此掺杂半导体层160与介电层130,以形成导孔180于部分第二薄 膜晶体管的栅极上，并形成部分的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的源极/漏极。最后参照第1E图，接着形成导体层170覆盖于绝缘基材110上。再图 案化此导体层170，以形成第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的源极/漏极， 并形成连接线以电连接第一薄膜晶体管的漏极、电容的上电极以及第二薄膜 晶体管的栅极。由上述可知，在传统有机电致发光二极管的控制电路的工艺中，蚀刻终 止层与导孔分开制作。此将增加工艺步骤，进而导致成本增加与良率下降。此外，在传统的有机电致发光二极管的控制电路中，电容的介电层与第 一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的栅极介电层同时形成。因此，当设计者欲改变电容的电容值时，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的电性与几何特征 也将同时受到影响。此将限制设计者的设计空间。故一种减少工艺步骤且增加设计空间的有机电致发光二极管的控制电 路是有机电激发光显示科技的制造厂商所需求的。
技术实现思路
因此本专利技术的一个目的是提供一种有机电致发光二极管的控制电路的 制造方法，依此方法可减少工艺步骤，以降低制造成本并增加良率。本专利技术的另 一 目的是提供一种有机电致发光二极管的控制电路的制造 方法，依此方法可避免第一晶体管与第二晶体管的电性因设计者改变电容的 电容值而改变。本专利技术的又一 目的是提供一种有机电致发光二极管的控制电路的制造 方法，依此方法在更改电容的电容值时，第一晶体管与第二晶体管的几何特 征不必然因此而改变。根据本专利技术的上述目的，提出一种有机电致发光二极管的控制电路。此 有机电致发光二极管的控制电路包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电 容。其中，第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，第一薄膜晶体管之第一源 极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二 源极/漏极，第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压，第二薄膜晶 体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的 一端电连接一参考 电压，另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度或材料 中之一异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的栅极介电层的厚度或材料。依照本专利技术一优选实施例，其中上述电容还可以具有电容堆栈层。此电容堆栈层介于电容之下电极与介电层之间。此外，电容堆栈层还可以包含一 堆栈介电层，此堆栈介电层位于电容的下电极上，且此堆栈介电层的材料与 厚度与第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的栅极介电层的材料与厚度相同。根据本专利技术的目的，提出一种有机电致发光二极管的控制电路的制造方 法。此制造方法包含下列步骤。首先，形成第一栅极、电容的下电极以及第 二栅极于绝缘基材之上。接着，形成第一栅极介电层与第一沟道区于部分第 一栅极之上及第二栅极介电层与第二沟道区于部分第二栅极之上。然后，形 成蚀刻终止层覆盖于绝缘基材之上，再图案化蚀刻终止层，以暴露出第一沟 道区及第二沟道区的部分上表面以适用于形成源极/漏极接触，并形成导孔于 第二栅极的部分上表面。接着，依序形成掺杂半导体层以及导体层覆盖于绝 缘基材之上，再图案化导体层以及掺杂半导体层，以形成源极/漏极于第一沟 道区及第二沟道区之上、形成连接线以电连接第一沟道区上之漏极与第二栅 极以及形成电容的上电极。依照本专利技术一优选实施例，于形成蚀刻终止层之前，可形成电容堆栈层 于电容的下电极之上。此电容堆栈层可具有堆栈介电层，其中堆栈介电层的 材料与厚度与第 一栅极介电层及第二栅极介电层的材料与厚度相同。如以上所述，本专利技术同时定义蚀刻终止层与导孔，故至少可以使有机电 致发光二极管的控制电路的工艺所需掩模数目减少一道。因为掩模的制作成 本昂贵，曝光显影的步骤又相当费时且又有对准误差的危险，所以少一道掩 模将可节省大量生产成本与生产时间，并能提升产品的良率。此外，在应用 本专利技术所制造出的有机电致发光二极管的控制电路中，电容的介电层可与第 一晶体管或第二晶体管的栅极介电层不同。故当设计者改变电容的电容值 时，第 一 晶体管与第二晶体管的电性及几何特征不必然会因此而改变。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，对附图详细说明如下第1A-1E图示出了传统有机电致发光二极管的控制电路的制造流程的 剖面图。第2A-2D图示出了依照本专利技术一优选实施例的有机电致发光二极管的 控制电路的一种制造流程的剖面图。第3A-3D图示出了依照本专利技术一优选实施例的有机电致发光二极管的 控制电路的一种制造流程的剖面图。第4A-4D图示出了依照本专利技术一优选实施例的有机电致发光二极管的 控制电路的一种制造流程的剖面图。主要组件符号说明110、210、310、410绝缘基材122、222、322、422:第一栅极124、224、324、424:下电极126、226、326、426:第二栅极130:介电层232、332、432:第-老极介电层236、336、436:第二二栅极介电层142、242、342、442第一沟道区146、246、346、446第二沟道区150、250、350、450蚀刻终止层160、260、360、460掺杂半导体层170、270、370、470导体层 180334、434:堆栈介电层 444280、 380、 480:导孔 堆栈半导体层具体实施方式以下将以图标及详细说明来清楚地说明本专利技术的精神，如本领域的普通 技术人员在了解本专利技术的优选实施例后，当可由本专利技术所教导的技术，加以 改变及》务饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。实施例一参照第2A-2D图，其示出了依照本专利技术一优选实施例的有机电致发光二 极管的控制电路的一种制造流程的剖面图。在第2A图中，首先形成第一栅极222、电容的下电极224以及第二栅 极226于绝缘基材210之上。其中，上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光二极管的控制电路，至少包含：第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，该第一薄膜晶体管之第一源极／漏极电连接数据线；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管的栅极电连结该第一薄膜晶体管的第二源极／漏极，该第 二薄膜晶体管的第三源极／漏极电连接一工作电压，该第二薄膜晶体管的第四源极／漏极电连接有机电致发光二极管；以及电容，一端电连接一参考电压，另一端电连接该第二薄膜晶体管的栅极，其中，该电容的介电层的厚度异于该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶 体管其中之一的栅极介电层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光二极管的控制电路，至少包含第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线，该第一薄膜晶体管之第一源极/漏极电连接数据线；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管的栅极电连结该第一薄膜晶体管的第二源极/漏极，该第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接一工作电压，该第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管；以及电容，一端电连接一参考电压，另一端电连接该第二薄膜晶体管的栅极，其中，该电容的介电层的厚度异于该第一薄膜晶体管及该第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度。2. 如权利要求1的控制电路，其中该电容还包含电容堆栈层，该电容堆 栈层介于该电容的下电极与介电层之间。3. 如权利要求2的控制电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭仁杰，张孟祥，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]