【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子部件和一种用于制造电子部件的方法。
技术介绍
当半导体芯片被安装到例如引线框架的导电载体上时，由于半导体材料和载体材料的不同的热膨胀系数的原因问题可能出现。特别地，如果在半导体芯片到载体上的安装处理期间，例如在焊接处理(T = 3800C )中或者在粘合处理(T = 2000C )中特定的升高温度被施加到组件，由于不同的热膨胀系数的原因非常高的热机械应力可能出现。在减薄的半导体芯片的情况下由于撕裂和裂缝的形成这些应力反应甚至可以导致半导体芯片的宏观损伤。在其它情况下应力可以导致半导体衬底的强形变，使得后面的处理步骤不再是可能的，例如，激光震颤(laser thrilling)、层压成形、引线结合等。一般而言,在半导体芯片中生成的应力严重地影响后面的处理步骤的可靠性。 附图说明附图被包括来提供实施例的进一步理解且被并入并且构成本说明书的一部分。附示了实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易地了解其它实施例和实施例的许多预定优点，因为通过参考以下的具体描述它们变得更好理解。附图的元素不必相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记表示对应的相似...
【技术保护点】
一种电子部件，包括：包括第一载体表面的导电载体；包括第一芯片表面的半导体芯片，其中，所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者包括非平面结构，并且其中所述半导体芯片被附着到所述载体，并且所述第一芯片表面面向所述第一载体表面，使得由于所述第一载体表面和所述第一芯片表面中的一个或二者的所述非平面结构的原因在所述第一芯片表面与所述第一载体表面之间提供间隙；以及位于所述间隙中的第一电沉积金属层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：K霍赛尼，FP卡尔茨，J马勒，M门格尔，K施密特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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