一种CMOS带隙基准电压源制造技术

本发明专利技术涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明专利技术CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路，版图上占用面积会显著减小，结构简单，需要规避的风险更小，有助于提高产品良率；同时由于没有运算放大器，也不会受到运算放大器的失调影响，有利于精度的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS带隙基准电压源，尤其涉及一种无需运算放大器和启动电路的CMOS带隙基准电压源，属于模拟集成电路

技术介绍
基准电压源是在电路系统中为其它功能模块提供高精度的电压基准，或由其转化为闻精度电流基准，为其它功能1 块提供精确、稳定的偏置的电路。它是1 拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。基准源输出的基准信号稳定，与电源电压、温度以及工艺的变化无关。随着如今集成电路的飞速发展，竞争日益激烈。如何压缩制作成本，提高产品精度和质量成为了能否立足的关键。在相同的工艺条件下，占用更小的面积往往意味着更低的 成本。电路结构的复杂程度也影响着产品的良率，进而影响成本。因此，简单而又实用的电路模块还是有其存在价值的。
技术实现思路
本专利技术针对随着如今集成电路的飞速发展，竞争日益激烈，如何压缩制作成本，提高产品精度和质量成为了能否立足的关键的需求，提供一种CMOS带隙基准电压源。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下一种CMOS带隙基准电压源包括输入电流源 Iref、PM0S 管 MP1、PM0S 管 MP2、PM0S 管 MP3、PM0S 管 MP4、PM0S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS带隙基准电压源，其特征在于，包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2；所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6的源端和衬底均接到最高电位电源电压VDD；所述PMOS管MP1的栅端和漏端同时接到输入电流源Iref，同时栅端接到PMOS管MP2和PMOS管MP3的栅端；所述PMOS管MP2的漏端接到电阻R1的一端，所述电阻...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，张君宇，张满红，霍宗亮，谢常青，潘立阳，陈映平，刘阿鑫，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：