【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用静电卡盘的基板保持装置,尤其是涉及在进行等离子处理的处理室内吸附和保持基板的装置。
技术介绍
已知的技术是,为了在半导体制造过程中得到所需要的器件结构,在配置有作为待处理基板的硅晶片(下称“晶片”)的处理室中产生等离子体,用该等离子体对基板进行成膜处理、离子注入处理或蚀刻处理等各种等离子处理。在这些等离子处理装置中,设置有基板保持装置,所述基板保持装置具有用来在处理室内定位和保持基板的所谓静电卡盘。作为静电卡盘,已知有一种在嵌有正负电极的卡盘本体的上面装设 作为电介质的卡板而形成的所谓双极型装置,例如专利文献I。再有,已知通过在处理室内实施的等离子处理,有时将基板保持装置所保持的基板控制在规定温度,此时,例如将电阻加热式加热装置组装到卡盘本体(或基台)中,同时形成与晶片的背面(进行规定处理的面的反面)的外周边部面接触的挡边部,在该挡边部所围绕的内部空间中例如同心竖直设立多个支持部构成卡板。在该基板保持装置中,在晶片加热、冷却时,经由在卡盘本体上形成的气道向上述内部空间中供给Ar气等辅助气体,以挡边部和晶片背面形成内部空间,通过在所述内部空间 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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