有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；选通线和数据线；薄膜晶体管，其包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、中间绝缘层、源极、以及漏极；多条辅助线，其由相同的材料形成并在与所述数据线相同的层上；钝化层，其为有机绝缘材料并包括露出漏极的漏接触孔、露出辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔；以及第一电极和线连接图案，其在所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案连接所述第一辅助图案中的一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光显示装置的阵列基板，更具体地说，涉及一种包括以多晶硅作为半导体层的薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，迅速开发了用于显示大量信息的显示装置。近来，提出并积极开发了具有侧面薄、重量轻和低功耗特点的平板显示装置(FPD)。其中，有机电致发光显示装置最近因其诸多优点而被关注，这些优点有有机电致发光显示装置具有较高的亮度和较低的驱动电压；由于有机电致发光显示装置是自发光的，其具有极好的对比度和极薄的厚度；有机电致发光显示装置具有几毫秒的响应时间，从而在显示运动图像时有优势；有机电致发光显示装置视角宽并在低温下保持稳定；由于有 机电致发光显示装置在低直流电压(DC)5V至15V下被驱动，因而设计和制造驱动电路十分容易；以及由于基本仅需要沉积和封装装置，有机电致发光显示装置的制造过程很简单。在有机电致发光显示装置中，有源矩阵型显示装置被广泛地应用。有机电致发光显示装置包括阵列基板，在其上形成有用于打开/关闭各像素区域的薄膜晶体管。薄膜晶体管可以以多晶硅作为半导体层。通常，制造包括多晶硅薄膜晶体管的有机电致发光显示装置的阵列基板通过以下10个掩模工艺制造形成多晶硅的半导体层；形成第一存储电极；形成栅极；形成有半导体接触孔的中间绝缘层；形成源极和漏极；形成无机绝缘材料的第一钝化层；形成有机绝缘材料的第二钝化层；形成阳极；形成岸(bank);以及形成间隔体。在基板上形成材料层后，掩模工艺包括以下步骤在材料层上形成光刻胶层；通过感光掩模将光刻胶层曝光；显影经曝光的光刻胶层来形成光刻胶图案；使用光刻胶图案作为掩模刻蚀材料层；以及剥离光刻胶图案。因此，为了完成一个掩模工艺，需要进行各步骤的设备和材料，还需要进行各步骤的时间。在制造有机电致发光显示装置时，进行为减少掩模工艺的实验和努力来减少制造成本并提高生产率。提出一种跳过第一和第二钝化层中的一个的方法，但在这种情况下，信号线或连接图案之间可能断开。
技术实现思路
一种有机电致发光显示装置的阵列基板包括基板，其包括显示区域和非显示区域，其中所述显示区域包括像素区域，所述非显示区域包括电源区域；选通线和数据线，其中间具有中间绝缘层并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，其形成于所述像素区域的驱动区域并包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极；辅助线，其在所述电源区域中由与所述数据线相同的材料形成并在与其相同的层上；钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上并由有机绝缘材料形成，其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中的所述辅助线中一个的辅助线接触孔，所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧；以及第一电极和线连接图案，其分别在所述像素区域中和所述电源区域中形成在所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述第一辅助构图中的一个。另一方面，一种制造有机电致发光显示装置的阵列基板的方法包括制备基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，其中所述显示区域包括像素区域，所述非显示区域包括电源区域；形成选通线和数据线，它们之间具有中间绝缘层，所述选通线和所述数据线在所述像素区域中彼此交叉；在所述像素区域的驱动区域中形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极；形成辅助线，其在所述电源区域中，由与所述数据线相同的材料形成，并与所述数据线在相同的层上；在所述薄膜晶体管上形成有机绝缘材料的钝化层，其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中所述辅助线中的一个的辅助线接触孔，其中所述钝化层具有露出所述中间绝缘层和另一个所述辅助线的凹槽；以及形成第一电极和线连接图案，它们分别在所述像素区域中和所述电源区域中形成在所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案连接所述第一辅助图案中的一个。 应当理解的是，前面的一般描述和后面的具体描述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明附图被包括进来以提供对本专利技术的进一步理解，并结合到本申请中且构成本申请的一部分，这些附图例示了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图IA至图IM是示出了根据本专利技术的第一实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的像素区域的按制造步骤的截面图；图2A至图2M是示出了根据本专利技术的第一实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的非显示区域的按制造步骤的截面图；图3是示出了根据比较示例的有机电致发光显示装置的阵列基板的非显示区域的截面图；图4A至图4B是示出了根据本专利技术的第二实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的像素区域的按制造步骤的截面图；图5是示出了根据本专利技术的示例性实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的非显示区中的凹槽的截面图。具体实施例方式现在将详细描述本专利技术的实施方式，在附图中例示了本专利技术的优选实施方式的示例。图IA至图IM是示出了根据本专利技术的第一实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的像素区域的按制造步骤的截面图。图2A至图2M是示出了根据本专利技术的第一实施方式的有机电致发光显示装置的阵列基板的非显示区域的按制造步骤的截面图。为了便于解释，在各像素区域P中，将形成薄膜晶体管的区域定义为驱动区域DA，并将形成存储电容的区域定义为存储区域StgA。驱动区域DA中的薄膜晶体管起到与有机发光二极管连接的驱动薄膜晶体管的作用，并且虽然图中没有示出，但是形成了与驱动薄膜晶体管的结构相同的开关薄膜晶体管并将其连接到选通线和数据线。在图IA和图2A中，通过沉积无机绝缘材料(例如硅的氮化物(SiNx)或氧化硅(SiO2))在基板110上形成缓冲层111。当将非晶硅晶化成为多晶硅时，由激光照射或热处理生成的热会导致基板Iio中的碱离子(例如钾离子(K+)或钠离子(Na+))扩散。缓冲层111避免了多晶硅的半导体层因碱离子劣化。缓冲层111可以依基板110的材料而被省略。之后，通过在缓冲层111上沉积非晶硅，在基板110的几乎全部表面上形成非晶硅层(未不出)。之后，通过对非晶硅层进行晶化形成多晶硅层180，多晶硅层180的迁移率特性与非晶硅层对比被改善了。在非晶硅层和多晶硅层180中没有掺入杂质。有益的是，可以执行固相晶化(SPC)法或激光晶化法来晶化非晶硅层。 更具体地，固相晶化法可以是在600摄氏度至800摄氏度下进行热处理的热晶化法，或者是在600摄氏度至700摄氏度下使用交变磁场设备的交变磁场晶化法。激光晶化法可以是准分子激光退火法或顺序横向凝固法。在图IB和图2B中，通过掩模工艺来构IA的多晶硅层180而分别在驱动区域DA和存储区域StgA中形成半导体层113和半导体图案114，其中掩模工艺包括施加光刻胶、使用光掩模进行曝光、显影经曝光的光刻胶、刻蚀和剥离。半导体图案114在以后将被掺入杂质来改进导电特性，并用作第一存储电极。在图IC和图2C中，通过沉积无机绝缘材料(例如硅的氮化物(SiNx)或氧化硅(Si02))在全部半导体层113和半导体图案114上形成栅绝缘层116。通过沉积透明导电材料(例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锡(IZO))在全部栅绝缘层116上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于有机电致发光显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：基板，所述基板包括显示区域和非显示区域，其中所述显示区域包括像素区域，所述非显示区域包括电源区域；选通线和数据线，所述选通线和数据线之间具有中间绝缘层，并且彼此交叉以限定所述像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管在所述像素区域的驱动区域中并包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极；多条辅助线，所述多条辅助线在所述电源区域中，由与所述数据线相同的材料形成，并在与所述数据线相同的层上；钝化层，所述钝化层被布置在所述薄膜晶体管上并由有机绝缘材料形成，其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中的所述多条辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔，其中所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧；以及第一电极和线连接图案，所述第一电极和线连接图案分别在所述像素区域中和所述电源区域中的所述钝化层上，其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述多条辅助线中的所述一条辅助线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔熙东，田承峻，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：