【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种金属硬光罩结构的缺陷解决方案，尤其涉及一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案。
技术介绍
目前从65纳米工艺技术开始，后端双大马士革工艺较多采用低介电常数或铜工艺加金属硬光罩层，然而在选用金属硬光罩的流程时，会面对许多传统工艺之前所没有遇到的问题，如金属硬光罩刻蚀后，在金属表面还会有电荷残留，该残留的电荷会吸住缺陷，此缺陷甚至在后续的清洗步骤中也很难去除，最终造成金属断线。如图Ia-Ie为现有的 40/45纳米工艺的后段双大马士革的结构流程示意图。如图Ia所示，在复合结构14上涂布第一光刻胶15 ;如图Ib所示，去除部分第一光刻胶15至复合结构14上，于剩余的第一光刻胶15中形成第一金属槽结构16 ;如图Ic所不，以剩余的第一光刻胶15为掩膜,刻蚀复合结构14至第二介电层13的上表面，去除剩余的第一光刻胶15，形成通孔结构17，同时产生缺陷18，并在复合结构14周围出现残留电荷122 ;如图Id所示，涂布第二光刻胶19覆盖复合结构14的上表面和通孔结构17的内壁，同时部分第二光刻胶19会粘附在缺陷18上；如图Ie所示，以第二光刻胶...
【技术保护点】
一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案，其特征在于，所述金属硬光罩结构为在一金属片上依次淀积第一介电层、第二介电层和一复合结构；所述复合结构分为三层，从上往下依次为第一层、第二层、第三层；所述解决方案包括以下步骤：S1：在所述复合结构上涂布第一光刻胶；？S2：去除部分所述第一光刻胶至所述复合结构上，于剩余的所述第一光刻胶中形成第一金属槽结构；S3：以剩余的所述第一光刻胶为掩膜，刻蚀所述复合结构至所述第二介电层的上表面，去除剩余的所述第一光刻胶，形成通孔结构，同时所述复合结构表面残留部分电荷；S4：对经过S3步骤后的所述金属硬光罩结构进行水蒸气处理；S5：涂布第...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜，黄君，盖晨光，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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