一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案制造技术

本发明专利技术涉及一种金属硬光罩结构的缺陷解决方案，尤其涉及一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案。本发明专利技术一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案通过在复合结构刻蚀后使用等离子体脱附硅片法代替传统的直流脱附硅片法，去除因刻蚀而在复合结构表面残留的电荷，解决残留电荷吸附缺陷导致金属断电的问题，提高生产质量和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属硬光罩结构的缺陷解决方案，尤其涉及一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案。
技术介绍
目前从65纳米工艺技术开始，后端双大马士革工艺较多采用低介电常数或铜工艺加金属硬光罩层，然而在选用金属硬光罩的流程时，会面对许多传统工艺之前所没有遇到的问题，如金属硬光罩刻蚀后，在金属表面还会有电荷残留，该残留的电荷会吸住缺陷，此缺陷甚至在后续的清洗步骤中也很难去除，最终造成金属断线。如图Ia-Ic为现有的40/45纳米工艺的直流脱附硅片方法的结构流程示意图。金属硬光罩在刻蚀之后，如图Ia所示，在1000V电压下，第二介电层11上淀积的复合结构12的表面残留部分电荷13 ;如图Ib所示，将直流电压降为0V，第二介电层11上淀积的复合结构12的表面残留的电荷13数目减少；如图Ic所示，继续将直流电压降低为-600V，第二介电层11上淀积的复合结构12的表面残留的电荷13数目继续减少，但仍然存在；因此，利用传统的直流脱附硅片方法并不能将残留电荷除尽，最终仍会造成金属断线。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术揭示了一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对40/45纳米工艺金属硬光罩结构的缺陷解决方案，其特征在于，所述金属硬光罩结构为在一金属片上依次淀积第一介电层、第二介电层和一复合结构；所述复合结构分为三层，从上往下依次为第一层、第二层、第三层；所述解决方案包括以下步骤：S1：在所述复合结构上涂布第一光刻胶；？S2：去除部分所述第一光刻胶至所述复合结构上，于剩余的所述第一光刻胶中形成第一金属槽结构；S3：以剩余的所述第一光刻胶为掩膜，刻蚀所述复合结构至所述第二介电层的上表面，去除剩余的所述第一光刻胶，形成通孔结构，同时所述复合结构表面残留部分电荷；S4：使用等离子体脱附硅片方法处理经过S3步骤后的所述金属硬光罩结构；S5：涂布第二光刻胶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜，黄君，盖晨光，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：