处理基板的设备和方法技术

提供了处理基板的设备和方法，更具体地涉及使用超临界流体处理基板的设备和方法。该处理基板的设备包括：处理室，在所述处理室中，余留在基板上的有机溶剂使用被提供为超临界流体的流体溶解以干燥所述基板；和再生单元，有机溶剂在所述再生单元中与从处理室排出的流体分离以再生所述流体。

【技术实现步骤摘要】
处理基板的设备和方法
这里揭示的本专利技术涉及处理基板的设备和方法，并且更具体地，涉及使用超临界流体（supercriticalfluid）处理基板的设备和方法。
技术介绍
半导体器件通过包括光刻工艺的各种工艺制成，光刻工艺用于在诸如硅片等的基板上形成电路图案。当制造半导体器件时，可以产生各种外来物质，诸如微粒、有机污染物、金属杂质等等。外来物质可导致基板缺陷而对半导体器件的产量直接造成不良的影响。由此，在半导体制造工艺中可能必需包括用于移除杂质的清洗工艺。一般来说，在典型的清洗工艺中，余留在基板上的外来物质用洗涤剂去除，然后使用去离子水（DI-水）清洗基板，使用异丙醇（IPA）干燥清洗后的基板。然而，在半导体器件具有精细的电路图案的情况中，干燥工艺可具有低效率。另外，由于电路图案的损伤，即在干燥工艺中经常发生的图案皱缩(collapse)，干燥工艺不适合于具有约30nm或更小的线宽的半导体器件。由此，为解决上述的局限，关于使用超临界流体来干燥基板的技术的研究正在积极地进行。
技术实现思路
本专利技术提供了使用超临界流体处理基板的设备和使用超临界流体处理基板的方法。本专利技术还提供了用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板的设备，所述设备包括：处理室，在所述处理室中使用被提供为超临界流体的流体溶解余留在基板上的有机溶剂以干燥所述基板；和再生单元，在所述再生单元中所述有机溶剂与从所述处理室排出的流体分离以再生所述流体。

【技术特征摘要】
2011.06.30 KR 10-2011-0064987;2011.10.13 KR 10-201.一种处理基板的设备，所述设备包括：处理室，在所述处理室中交替使用惰性气体和被提供为超临界流体的流体以溶解余留在基板上的有机溶剂以干燥所述基板；和再生单元，在所述再生单元中所述有机溶剂与从所述处理室排出的流体分离以再生所述流体；其中，所述再生单元包括：分离模块，所述分离模块用于冷却溶解有所述有机溶剂的流体以将所述有机溶剂从所述流体中分离；柱模块，所述柱模块用于将用于吸收所述有机溶剂的吸收材料提供到从所述分离模块排出的所述流体中，以将所述有机溶剂从所述流体中分离。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述分离模块被提供多个，并且所述多个分离模块彼此串联连接。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述分离模块包括：分离罐，从所述处理室排出的所述流体被引入到所述分离罐中；冷却构件，所述冷却构件用于冷却所述分离罐；放出管，所述放出管设置在所述分离罐的下部中以排出液化的并且与所述流体分离的所述有机溶剂；和第一排气管，所述第一排气管设置在所述分离罐的上部以排出与所述有机溶剂分离的所述流体。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述分离模块进一步包括流入管，用于将从所述处理室排出的所述流体供应到所述分离罐的下部中。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述分离模块进一步包括反向压力调整器，所述反向压力调整器设置在所述第一排气管中以不断地保持所述分离罐的内部压力。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱模块被提供多个，并且所述多个柱模块彼此串联连接。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱模块被提供多个，并且所述多个柱模块彼此并联连接。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述柱模块包括：吸收柱，用于将所述吸收材料提供到从所述分离模块排出的所述流体中；温度保持构件，用于不断地保持所述吸收柱的内部温度；和第二排气管，用于排出通过所述吸收材料将所述有机溶剂分离的流体。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述柱模块进一步包括浓...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑恩先，金禹永，许瓒宁，朴正善，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：