【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体LED芯片制作装置。具体涉及一种高温蚀刻工艺槽，该工艺槽主要用于半导体LED芯片行业中图形化蓝宝石衬底与外延片之间的工艺段，通过高温蚀刻工艺在蓝宝石衬底上生长垂直化结构，是提高LED芯片亮度提升的必要工艺设备。
技术介绍
本专利技术做出以前，由于所述工艺槽用于高温药液蚀刻，在工艺温度下会产生大量腐蚀性挥发气体,工艺槽内的溶液为强腐蚀性液体,不仅会增加废气处理难度及成本,还会导致工艺温度失衡、药液损耗严重等相关的由于挥发而导致的不利于生产的现象发生
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高温蚀刻工艺槽，其耐高温，防腐蚀，抑制腐蚀气体挥发，减少工艺槽内药液损耗，能控制药液升温时间及药液温度的均匀性，能降温排放药液。为了达到上述目的，本专利技术有如下技术方案本专利技术的一种高温蚀刻工艺槽，包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降...
【技术保护点】
一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于：包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。
【技术特征摘要】
1.一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于包括槽盖、防腐外壳、保温隔热层、加热装置、抑制气体挥发装置、降温装置、工艺槽本体、连接供液装置，所述槽盖位于工艺槽本体顶部，保温隔热层位于防腐外壳内，工艺槽本体位于保温隔热层与工艺槽之间，加热装置设置在工艺槽本体底部，抑制气体挥发装置固定在工艺槽本体的上部，降温装置固定在工艺槽本体内壁，连接供液装置从工艺槽本体顶部插入到工艺槽本体内。2.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述槽盖包括两块盖板、开启关闭动力机构、密封减震碰撞条，开启关闭动力机构分别与两块盖板连接，密封减震碰撞条位于两块盖板关闭时的中间缝隙处，所述开启关闭动力机构用于自动开启或关闭槽盖。3.如权利要求I所述的一种高温蚀刻工艺槽，其特征在于所述防腐外壳是采用聚丙...
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