上部改善环及蚀刻腔室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种上部改善环，包括环状本体，环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口。还公开了一种蚀刻腔室，包括腔体以及位于腔体内的静电卡盘、下部绝缘环和上部改善环，静电卡盘具有向上凸出的中部，向上凸出的中部由下至上依次穿设于下部绝缘环和上部改善环，上部改善环采用如上所述的上部改善环。通过在上部改善环的环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口，当环状本体的上表面或者下表面由于蚀刻工艺的影响变薄或其表面变粗糙或出现小凹槽，致使无法继续使用，就可以继续使用上部改善环的相反面，从而，在不影响上部改善环功能情况下，使上部改善环的使用寿命增加双倍而不会增加材料成本，有效降低上部改善环的使用量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种上部改善环及蚀刻腔室。
技术介绍
半导体的制造程序，其工艺步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。在一系列制造程 序中，最为重要的步骤之一就是蚀刻。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WET ETCH)及干式蚀刻(DRY ETCH)两种。而所谓干式蚀刻(也称为干法蚀刻或干蚀刻)，则是利用干蚀刻机台产生电浆将所欲蚀刻之薄膜，反应产生气体，由PUMP抽走达到图案定表之目的。在干蚀刻技术中，一般多采用电浆蚀刻(Plasma Etching)与活性离子蚀刻(Reactive Ion Etching, RIE),通常电衆蚀刻使用较高的压力(大于200mT)及较小的RF功率，当芯片浸在电浆之中，曝露在电浆之表层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应而形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀亥Ij。所谓电浆即为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子、及中性基等，在纯化学反应中，采用中性基为蚀刻因子，在RIE时，取活性离子作为蚀刻因子。在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子(正离子)及电子，当压力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上部改善环，包括环状本体，其特征在于，所述环状本体的上表面和下表面的内侧端分别设有环形凹口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：隆均，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：