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本实用新型公开了一种上部改善环，包括环状本体，环状本体的上、下表面的内侧端分别设有环形凹口。还公开了一种蚀刻腔室，包括腔体以及位于腔体内的静电卡盘、下部绝缘环和上部改善环，静电卡盘具有向上凸出的中部，向上凸出的中部由下至上依次穿设于下部绝缘...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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