等离子体反应机台制造技术

一种等离子体反应机台，包含：腔体、平台及缓冲组件。腔体具有容置空间；平台，设置于腔体内；缓冲组件，设置于腔体内且邻近平台的侧边，缓冲组件与平台共同将容置空间区隔为第一空间与第二空间，并且部分与侧边形成气体通道，气体通道由第一空间朝第二空间的方向呈渐扩状而连通第一空间与第二空间。本发明专利技术以缓冲组件将腔体内的容置空间区隔为第一空间及第二空间，并以缓冲组件与平台的侧边界定出气体通道，其中，气体通道由第一空间朝第二空间的方向为渐扩状，使得气体易于由第二空间向第一空间流动，但却较难反向流动，因此，当空气反向流动时，工艺生成物堆积于缓冲组件的本体部处，而不会累积于平台上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体反应机台，特别涉及一种能改善腔体流场的等离子体反应机台。
技术介绍
以往等离子体反应机台上的平台,在工艺腔体(Process Chamber, PC)进片后,高压气流吹入工艺腔体内，再由帮浦(pump)所抽走。在公知的平台中，吸出口只设置于平台的角落，导致气流路径较长，气流路径越长其气阻会越高，气阻造成气体流速降低，使得尘粒在经过平台上方区域时即沉降，并掉落在玻璃上而产生残余物。另一种情况是，在通工艺气体时，在初期冲压达工艺压力的状况，冲压时自动调压阀全关而工艺气体吹入。当工艺气体吹入平台下方而夹带积于平台下方处的工艺生成物或是尘粒扰动而飘散，工艺生成物或是尘粒亦跟着气体方向扰动而掉落至玻璃上，使得在后续的工艺中持续产生残余物。再者，在工艺腔体进行蚀刻时，所吹入工艺气体经等离子体解离后，蚀刻并产生生成物。传统等离子体反应机台上的平台的四角出口对于玻璃产生生成物后，因路径长短差异性大，因此对于抽走生成物的效率有差异，经常导致生成物未被带走而残留于玻璃上，而遮蔽到原本应该继续刻蚀的位置，而产生刻蚀残留残余物。因此，如何改良等离子体反应机台上腔体流场，使其减少残余物影响，为本申请的专利技术人以及从事此相关行业的
者亟欲改善的课题。
技术实现思路
有鉴于此，为解决现有技术存在的问题，本专利技术提出一种等离子体反应机台，包含腔体、平台及缓冲组件。腔体具有容置空间；平台，设置于腔体内；缓冲组件，设置于腔体内且邻近平台的侧边，缓冲组件与平台共同将容置空间区隔为第一空间与第二空间，并且部分与侧边形成气体通道，气体通道由第一空间朝第二空间的方向呈渐扩状而连通第一空间与第二空间。此外，缓冲组件包含本体部与倾斜部，倾斜部的一端连接于本体部，另一端朝向平台倾斜延伸。其中倾斜部与平台之间形成气体通道，而倾斜部与平台之间的夹角为介于15。至75。之间。再者，本专利技术的等离子体反应机台还包含抽气单元位于腔体，抽取气体由第二空间朝第一空间的方向流动。其中缓冲组件还包含遮蔽部，对应抽气单元设置并连接于倾斜部，倾斜部未连接于本体部的一端与平台之间形成开口，开口位于遮蔽部的两端，其中距离遮蔽部较远的开口宽度大于距离遮蔽部较近的开口宽度。本专利技术亦提出一种等离子体反应机台，包含腔体、平台及至少一缓冲组件。腔体，具有底面以及至少一侧壁面，底面以及至少一侧壁面围出容置空间；平台，设置于腔体内；及至少一缓冲组件，设置于平台与至少一侧壁面之间，缓冲组件具有导流面，且导流面靠近平台的一端与底面的间距小于导流面远离平台的一端与底面的间距。其中缓冲组件与平台共同将容置空间区隔为第一空间与第二空间。再者，缓冲组件包含本体部与倾斜部，倾斜部的一端连接于本体部，另一端朝向平台倾斜延伸。倾斜部与平台之间形成气体通道。此外，本专利技术的等离子体反应机台还包含抽气单元位于腔体，抽取气体由第二空间朝第一空间的方向流动。其中缓冲组件还包含遮蔽部，对应抽气单元设置并连接于倾斜部，倾斜部未连接于本体部的一端与平台之间形成开口，开口位于遮蔽部的两端，其中距离 本专利技术以缓冲组件将腔体内的容置空间区隔为第一空间及第二空间，并以缓冲组件与平台的侧边界定出气体通道，其中，气体通道由第一空间朝第二空间的方向为渐扩状，使得气体易于由第二空间向第一空间流动，但却较难反向流动，因此，当空气反向流动(第一空间向第二空间流动)时，工艺生成物堆积于缓冲组件的本体部处，而不会累积于平台上。以下在实施方式中详细叙述本专利技术的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域普通技术人员了解本专利技术的
技术实现思路
并据以实施，且根据本说明书所公开的内容、权利要求及附图，任何本领域普通技术人员可轻易地理解本专利技术相关的目的及优点。附图说明图I为本专利技术等离子体反应机台的示意图。图2为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的俯视图。图3A为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的剖面图(一)。图3B为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的剖面图(二)。图3C本专利技术等离子体反应机台第一实施例的局部放大图。图4A为本专利技术等离子体反应机台第二实施例的剖面图(一)。图4B为本专利技术等离子体反应机台第二实施例的剖面图(二)。图4C为本专利技术等离子体反应机台第二实施例的局部放大图。图5为本专利技术等离子体反应机台第三实施例的示意图。图6A为本专利技术等离子体反应机台第三实施例的剖面图(一)。图6B为本专利技术等离子体反应机台第三实施例的剖面图(二)。主要附图标记说明10 腔体11容置空间12第一空间13第二空间14 底面15侧壁面20 平台30缓冲组件31本体部32倾斜部33第一挡板34第二挡板35遮蔽部36延伸部37导流40气体通道50抽气单元 60开口60a 开口 宽度具体实施例方式请参阅图I所示，图I为本专利技术一具体实施例的等离子体反应机台的示意图。本实施例的等离子体反应机台包含腔体10、平台20及缓冲组件30。腔体10为概呈矩形的立方体结构，而具有容置空间11，进一步来说，腔体10具有底面14，以及至少一个侧壁面15，以本实施例而言，侧壁面15为四个，借由底面14及四个侧壁面15而围成一个容置空间11。腔体10主要经由气体线路(图中未示)输入工艺气体。本实施例的等离子体反应机台包含平台20，平台20其优选地对应腔体10的形状，于本实施例中，例如为概呈矩形的立方体结构。基此，平台20设置于腔体10中而位于容置空间11。请参阅图2所示，图2为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的俯视图。本专利技术的等离子体反应机台具有缓冲组件30，缓冲组件30概呈片体结构，设置于腔体10内且邻近于平台20的侧边，进一步来说，缓冲组件30设置于平台20与腔体10的侧壁面15之间。缓冲组件30具有多个第一挡板33与多个第二挡板34，第一挡板33与第二挡板34借由交错排列的方式围绕于平台20的侧边，并且第一挡板33与第二挡板34分别与平台20之间形成气体通道40 (如图3A所示)。此外，当第一挡板33与第二挡板34交错排列围绕于平台20的侧边时，第一挡板33与第二挡板34会彼此相抵触，为方便设置第一挡板33与第二挡板34于腔体10中，优选地可于第二挡板34的两端分别设置对应第一挡板33的缺口，使得第一挡板33嵌合于缺口，而达到第一挡板33与第二挡板34于腔体10中时，不再相互抵触，但本专利技术并非以此为限，缺口亦设置于第一挡板33。以本专利技术的第一实施例而言，第一挡板33与第二挡板34的数量分别为两个，但本专利技术并非以此为限。请参阅图3A、图3B及图3C所示，图3A为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的剖面图(一)，图3B为本专利技术等离子体反应机台第一实施例的剖面图(二)，图3C本专利技术等离子体反应机台第一实施例的局部放大图。请先参照图3A，图3A为图2AA’处的剖面，缓冲组件30与平台20共同将容置空间区隔成第一空间12与第二空间13，缓冲组件30的部分区段与平台20的侧边之间形成连通第一空间12与第二空间13的气体通道40。于本实施例中，缓冲组件30更具有本体部31与倾斜部32。倾斜部32的一端连接于本体部30，另一端则朝向平台20处延伸，本体部31则连接于腔体10上而使得缓冲组件30固定于容置空间11中。基此，倾斜部32与平台20之间形成气体通道40。由于倾斜部32相对于平台20之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体反应机台，包含：一腔体，具有一容置空间；一平台，设置于该腔体内；及一缓冲组件，设置于该腔体内且邻近该平台的一侧边，该缓冲组件与该平台共同将该容置空间区隔为一第一空间与一第二空间，并且该缓冲组件部分与该侧边形成一气体通道，该气体通道由该第一空间朝该第二空间的方向呈渐扩状而连通该第一空间与该第二空间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨总胜，王春盛，江舜彦，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：