【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体反应机台,特别涉及一种能改善腔体流场的等离子体反应机台。
技术介绍
以往等离子体反应机台上的平台,在工艺腔体(Process Chamber, PC)进片后,高压气流吹入工艺腔体内,再由帮浦(pump)所抽走。在公知的平台中,吸出口只设置于平台的角落,导致气流路径较长,气流路径越长其气阻会越高,气阻造成气体流速降低,使得尘粒在经过平台上方区域时即沉降,并掉落在玻璃上而产生残余物。另一种情况是,在通工艺气体时,在初期冲压达工艺压力的状况,冲压时自动调压阀全关而工艺气体吹入。当工艺气体吹入平台下方而夹带积于平台下方处的工艺生成物或是尘粒扰动而飘散,工艺生成物或是尘粒亦跟着气体方向扰动而掉落至玻璃上,使得在后续的工艺中持续产生残余物。再者,在工艺腔体进行蚀刻时,所吹入工艺气体经等离子体解离后,蚀刻并产生生成物。传统等离子体反应机台上的平台的四角出口对于玻璃产生生成物后,因路径长短差异性大,因此对于抽走生成物的效率有差异,经常导致生成物未被带走而残留于玻璃上,而遮蔽到原本应该继续刻蚀的位置,而产生刻蚀残留残余物。因此,如何改良等离子体反应机台上 ...
【技术保护点】
一种等离子体反应机台,包含:一腔体,具有一容置空间;一平台,设置于该腔体内;及一缓冲组件,设置于该腔体内且邻近该平台的一侧边,该缓冲组件与该平台共同将该容置空间区隔为一第一空间与一第二空间,并且该缓冲组件部分与该侧边形成一气体通道,该气体通道由该第一空间朝该第二空间的方向呈渐扩状而连通该第一空间与该第二空间。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:杨总胜,王春盛,江舜彦,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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