【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件封装的晶圆测量
，具体为用于磨片过程中测量晶圆厚度的测厚仪结构。
技术介绍
现有的测厚仪如图1，其测量晶圆厚度时，晶圆I的中心轴必须垂直于测量支座2，而千分尺3的测微螺杆4水平放置，且使得测量支座2的基准座5和测微螺杆4的测量端互相对准，测量支座2支承于底座6，测量需采取多点测量，在测量晶圆边角厚度时，有时会由于千分尺3的测微螺杆4的测量端无法夹住晶圆I导致晶圆I坠落造成晶圆I碎裂，造成严重的过程损失；在千分尺3夹住已贴蓝膜硅片时，由于是用手加力按住千分尺3测量会导致蓝膜下陷造成测量数值误差增大，另外晶圆I垂直测量会由于晶圆I晃动，也产生较大 的测量误差值，这样对于下工序装片胶控制、键合打线都会产生很大影响，导致产品良率下降。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供了用于磨片过程中测量晶圆厚度的测厚仪结构，其避免了晶圆坠落引起的碎片情况，减少了过程损失；测量过程中晶圆测量误差减少，产品良率提闻。用于磨片过程中测量晶圆厚度的测厚仪结构，其技术方案是这样的其包括底座、千分尺、晶圆，其特征在于所述底座水平布置，立板支承于所述底座的上端面，横向支承板的一端紧固连接所述立板的一侧，所述横向支承板的一端设置有所述千分尺，所述千分尺的测微螺杆的测量端贯穿所述横向支承板后垂直朝向所述底座的上端面，所述测微螺杆对应所述底座的上端面设置有基准座，所述测微螺杆、基准座之间的间隙处布置所述晶圆，所述晶圆的上端面紧贴所述测微螺杆的测量端，所述晶圆的下端面紧贴所述基准座的上端面。使用本专利技术的结构后，千分尺通过垂直向测量晶圆的厚度放置，晶圆的下端面紧...
【技术保护点】
用于磨片过程中测量晶圆厚度的测厚仪结构，其包括底座、千分尺、晶圆，其特征在于：所述底座水平布置，立板支承于所述底座的上端面，横向支承板的一端紧固连接所述立板的一侧，所述横向支承板的一端设置有所述千分尺，所述千分尺的测微螺杆的测量端贯穿所述横向支承板后垂直朝向所述底座的上端面，所述测微螺杆对应所述底座的上端面设置有基准座，所述测微螺杆、基准座之间的间隙处布置所述晶圆，所述晶圆的上端面紧贴所述测微螺杆的测量端，所述晶圆的下端面紧贴所述基准座的上端面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆振，
申请(专利权)人：无锡红光微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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