【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静电释放保护电路。
技术介绍
通常，穿尼龙制品的人体静电可能高达21，000V的高压，750V左右的放电可以产生可见火花，而仅IOV左右的电压就可能毁坏没有静电保护的芯片。静电放电(Electro-static Discharge,ESD)保护是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一。当芯片的外部或内部积累的静电荷通过芯片的管脚流入或流出芯片内部时，瞬间产生的电流(峰值可达数安培)或电压会损坏集成电路，使芯片失效。随着CMOS工艺的演进，芯片集成度越来越高，尺寸越来越小，ESD保护设计越来越困难，其中射频集成电路的ESD设计尤为困难。这是因为ESD防护电路会引入寄生电容，而且一般来说ESD防护电路面积越大，所引入的寄生电容越大，这些寄生电容对射频集成电路的影响随着工作频率的升高而加大。在高频下，即使小的寄生电容，对射频影响也很严重。故，目前的ESD保护电路泄载静电的效果十分有限，而且会由于引入寄生电容而影响集成电路的性能。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的旨在于提供一种静电释放保护电路，其可减少寄生电容对集成电路性能的影响，且可...
【技术保护点】
一种静电释放保护电路，应用于集成电路，其特征在于：其包括第一电感、第一电阻、电容、第一电子开关、第二电子开关和第三电子开关，其中第一电子开关、第二电子开关和第三电子开关均包括控制端、第一信号端和第二信号端；第一电感的第一端连接集成电路的内部工作电压端，第一电感的第二端依次通过第一电阻和电容连接集成电路的公共接地端，第一电子开关和第二电子开关的控制端均连接于第一电阻和电容之间，第一电子开关的第二信号端连接第一电感的第二端，第一电子开关的第一信号端连接第二电子开关的第一信号端，第二电子开关的第二信号端连接公共接地端，第三电子开关的控制端连接于第一电子开关和第二电子开关的第一信号端之间。
【技术特征摘要】
1.一种静电释放保护电路，应用于集成电路，其特征在于其包括第一电感、第一电阻、电容、第一电子开关、第二电子开关和第三电子开关，其中第一电子开关、第二电子开关和第三电子开关均包括控制端、第一信号端和第二信号端； 第一电感的第一端连接集成电路的内部工作电压端，第一电感的第二端依次通过第一电阻和电容连接集成电路的公共接地端，第一电子开关和第二电子开关的控制端均连接于第一电阻和电容之间，第一电子开关的第二信号端连接第一电感的第二端，第一电子开关的第一信号端连接第二电子开关的第一信号端，第二电子开关的第二信号端连接公共接地端，第三电子开关的控制端连接于第一电子开关和第二电子开关的第一信号端之间。2.如权利要求I所述的静电释放保护电路，其特征在于第一电子开关为P沟道的场效应管，第二电子开关和第三电子开关均为N沟道的场效应管，其中任一电子开关的控制端对应为场效应管的栅极，任一电子开关的第一信号端对应为场效应管的漏极，任一电子开关的第二信号端对应为场效应管的源极。3.如权利要求I所述的静电释放保护电路，其特征在于静电释放保护电路还包括第一二极管和第二电感，第一二极管的阴极连接内部工作电压端，第一二极管的阳极和电感的第一端均连接公共接地端，电感的第二端连接电容。4.如权利要求3所述的静电释放保护电路，其特征在于静电释放保护电路还包括第一场效应管、第四电子开关、第五电子开关、第六电子开关、第七电子开关和第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘茜蕾，李学建，马传辉，王永平，
申请(专利权)人：广州润芯信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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