启动器的过流保护装置以及启动器制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种过流保护装置，特别涉及一种用于启动器的过流保护装置，以及带有所述过流保护装置的启动器。
技术介绍
芯片启动器是内置于芯片中的元件，用于在芯片启动时逐渐升高启动电流，避免瞬间电流增长而将芯片烧毁。而要控制芯片启动电流，一个重要的手段就是在启动器中增加过流保护装置。过流保护装置的作用在于在芯片启动之后，通过电学元件将芯片的工作电流限制在某一范围内，避免大电流烧毁芯片。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种启动器的过流保护装置，以及带有所述过流保护装置的启动器，能够起到限流作用。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种启动器的过流保护装置，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。可选的，进一步包括一密勒电容，所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极，另本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种启动器的过流保护装置，其特征在于，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至一控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种启动器的过流保护装置，其特征在于，包括一上拉晶体管、一输入采样晶体管和一控制晶体管；所述输入采样晶体管的栅极电学连接至过流保护装置的控制端，源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极接地；所述控制晶体管的栅极电学连接至ー控制信号端；源/漏极电学连接至上拉晶体管的栅极，漏/源极电学连接至高电平端；所述上拉晶体管的漏/源极电学连接至高电平端，源/漏极电学连接至过流保护装置的输出端。2.根据权利要求I所述的过流保护装置，其特征在干，进ー步包括ー密勒电容，所述电容的一端电学连接至控制晶体管的栅极，另一端电学连接至控制晶体管的源/漏扱。3.根据权利要求I所述的过流保护装置，其特征在干，进ー步包括ー电阻，所述电阻设置于控制晶体管漏/源极与系统高电平端之间。4.一种启动器，包括一启动模块和ー负载电流米样装置，其特征在于，进ー步包括ー权利要求I所述的过流保护装置，所述启动模块的输入端电学连接至启动信号端，输出端连接至启动...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宁，李国宏，汪辉，陈杰，章琦，袁盾山，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，
类型：发明
国别省市：