【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种封装构造,特别是有关于ー种可避免底胶填充不全的半导体封装构造。
技术介绍
现今,半导体封装产业发展出各种不同型式的封装构造,以满足各种需求。而一般来说,配合图I所示,倒装芯片(flip chip)封装制程主要是在ー芯片91的有源表面先设置多个导电用的凸块92,再将所述芯片91翻转,使其有源表面通过凸块92设置于一基板90上,接着再从所述芯片91侧边将底胶93填充于所述芯片91与所述基板90之间,以增强整体连接结构。前述的底胶93的材料通常使用环氧树脂(Epoxy),所述底胶93主要是利用毛 细作用原理被涂抹在芯片91的边缘,进而滲透到芯片91与基板90,然后加热予以固化(cured),能有效提闻整体封装构造的结构强度,从而提闻芯片91的使用寿命。然而,根据产品需求,所述芯片91的有源表面上的凸块92有时会排布较为紧密,使得凸块92之间的间距过小,导致填充所述底胶93时,所述底胶93无法透过毛细作用完全填满芯片91与基板90之间的空间,或可能产生气泡930,如此ー来,整体封装构造的结构強度就会受到不良影响。故,有必要提供一种半导体封装构造,以解决现有 ...
【技术保护点】
一种半导体封装构造,其特征在于:所述半导体封装构造包含:一基板;一芯片单元,通过多个导电的柱状凸块设于所述基板的一表面上,所述柱状凸块连接所述芯片单元的一有源表面,其中两相邻柱状凸块的间距介于50至150微米之间;以及一底胶,涂布于所述芯片单元与所述基板之间。
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装构造,其特征在于所述半导体封装构造包含 一基板; 一芯片单元,通过多个导电的柱状凸块设于所述基板的一表面上,所述柱状凸块连接所述芯片单元的一有源表面,其中两相邻柱状凸块的间距介于50至150微米之间;以及 一底胶,涂布于所述芯片单元与所述基板之间。2.如权利要求I所述的半导体封装构造,其特征在于所述柱状凸块为选自铜、金、锡或镍的金属柱状凸块结构。3.如权利要求I所述的半导体封装构造,其特征在于所述柱状凸块是一金属复合柱状凸块结构。4...
【专利技术属性】
技术研发人员:张效铨,蔡宗岳,赖逸少,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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