一种用于像增强器多碱光电阴极制作的监控装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于像增强器多碱光电阴极制作的监控装置，主要用于微光像增强器多碱光电阴极制作的荧光监控。主要技术方案是：在箱体内，光纤组件的末端向外并伸出箱体的开口处，激光器的输出端与激光入射光纤的始端连接，激光入射光纤的末端与荧光出射光纤的始端组合在一起形成光纤组件的末端，荧光出光纤依次与全息滤光镜、衍射光栅、CCD探测器及计算机相连接。本实用新型专利技术通过试用证明：从根本上克服了质量不稳定、生产效率低的现象。达到有效地提高多碱阴极的灵敏度、减少废品损失，稳定像增强器的质量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种对真空光电子器件制作的监控装置，主要用于微光像增强器多碱光电阴极制作的荧光监控，也可用于类似的光电管、光电倍增管光电阴极制作的监控。
技术介绍
Na2KSb (Cs)多碱光电阴极(简称多碱阴极)在微光像增强器、光电管、光电倍增管等真空光电子器件中有着广泛的应用。其特点是制造工艺简单，可以在各种形状的各种玻璃上制作，光电阴极制作尺寸已达到10英吋以上。因此尽管出现了各种新型半导体探测器，但在许多信号探测和成像领域，仍然使用各种传统的真空器件，以微光像增强器和光电倍增管为例，到目前为止，多碱阴极的制作仍然是采用手工制作的方式。制作过程大都采用在过量Na的情况下，反复蒸K和Sb，最终把Na2、K和Sb的比例调整到2 I 1，俗称 达到平衡，从而获得最大的灵敏度。通常使用的典型工艺为(1)蒸K。在160°C温度下，蒸发K，当漏电流达到饱和时，开始蒸锑，直至光电流获得最大，使K与Sb膜发生化学反应生成K3Sb ; (2)蒸Na。在220°C温度下，将K3Sb暴露于Na蒸汽中，使K逐渐被Na置换，观察其光电流的变化，当光电流上升到最大并具有下降趋势时，表明Na已经过量；(3)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于像增强器多碱光电阴极制作的监控装置，其特征在于：具体结构是,在箱体(9)内，光纤组件(3)的末端向外，并伸出箱体(9)的开口处，激光器(1)的输出端与激光入射光纤(2)的始端连接，激光入射光纤(2)的末端与荧光出射光纤(4)的始端组合在一起形成光纤组件(3)，荧光出射光纤(4)依次与全息滤光镜(5)、衍射光栅(6)、探测器(7)及箱体(9)外的计算机(8)相连接。

【技术特征摘要】
2011.12.16 CN 201120527007.01.一种用于像增强器多碱光电阴极制作的监控装置，其特征在于具体结构是，在箱体(9)内，光纤组件(3)的末端向外，并伸出箱体(9)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓峰，瞿利平，杨文波，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：北方夜视技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：