本申请公开了一种超二代像增强管管壳结构、二次加工方法、超二代像增强管，第三陶瓷环内侧壁下部设置径向定位结构，径向定位结构的内侧壁与微通道板外侧壁径向定位接触；第二金属环的内侧壁与压圈侧斜壁抵接；微通道板厚度为a，微通道板两极距离c大于等...

本发明公开了一种自动测量多碱光电阴极膜厚的方法及存储介质，该方法利用算法和软件实现，通过人工交互的形式，自适应计算模型中多参数，并根据模型参数和通过高清摄像头所采集到的图像对多碱光电阴极薄膜厚度进行计算。包括：1)设置光反射颜色模型计算...

本发明公开了一种通过光反射率测量多碱光电阴极膜厚度的光路系统，包括伪随机码产生模组、光源强度调制输出模组、光纤、石英玻棒、多碱光电阴极膜、过采样与预处理模组及信号处理与计算模组，石英玻棒既作为入射光传输部件、也作为反射光传输部件，利用伪...

本发明公开了一种用于像增强管壳体高精度加工的工装及加工方法，该工装包括管壳夹具、管壳盖板夹具、管壳定位夹具、阳极车削刀具及阴极车削刀具；管壳盖板夹具紧贴管壳装配环的背面，管壳定位夹具用于对管壳盖板夹具进行固定；管壳夹具呈同轴多级圆柱形状...

本申请公开了一种真空‑固体器件封接用陶瓷管壳的引线键合方法，陶瓷管壳与待焊接芯片进行引线键合时包括以下步骤：1)活动夹具采用夹持压力≤9kg下压压板；2)将芯片焊盘设置于第一焊点，将管脚焊盘设定为第二焊焊点，依次一一对应编辑引线位置；3...

本发明提供一种基于流控技术去除MCP挥发性金属来提高MCP增益的方法，该方法在常规微通道板的氢还原工序后，微通道板的功能层已经形成的基础上，增加一个流体控制处理步骤，将氢还原后的微通道板放置于洁净的烘烤炉内，通入氮气一定时间后，将烘烤炉...

本申请公开了一种插针式EBAPS探测器及制作方法，带插针管壳、有源像素传感器(APS)、阴极环、阴极透镜、机芯模组、插座；带插针管壳通过底面阵列设置的管壳插针插接于插座上；插座与电路板电连接上；有源像素传感器底面阵列设置多个传感器插针；...

本发明提供一种用于控制超薄微通道板变形的实体边玻璃材料及其应用，该实体边玻璃材料以质量百分比计，包括以下组分：SiO<subgt;2</subgt; 60％～70％；Na<subgt;2</subgt;O 8％～...

本发明属于数字化微光器件领域，具体涉及一种表贴式EBAPS探测器结构及成像方法；包括带插针的陶瓷基座、导电胶、有源像素传感器(APS)、阴极环、阴极透镜，带插针的陶瓷基座底部带有数根插针，机体内含有电路布线，底部带有根高压接线柱，所述的...

本发明公开了一种背照式EBAPS的制作方法，采用背照式APS图像传感芯片结合真空光电阴极的方案，光电阴极能够将微弱光信号转换为电子信号，经过高压电场的加速，高能电子轰击CMOS芯片表面，在CMOS中发生倍增，CMOS将接收的电子信号放大...

本发明公开了一种制作超二代多碱光电阴极时钠锑共蒸锑过量时的处理方法，在制作工艺过程中检测光电流，若光电流低于1500nA则判断为基底层钠锑共同蒸镀时锑过量，进行如下处理：接通蒸Na电源，将蒸钠电流调到初始值；按400mA/min的速率递...

本发明公开了一种超二代多碱光电阴极制作时蒸钠出现漏电的处理方法，当光电阴极制作过程中出现蒸钠起漏电且漏电在1‑4分钟上升时超过2000nA时，则需要对光电阴极进行漏电处理，方法包括：当漏电上升超过2000nA时，通过停止蒸镀钠，打开钾电...

本发明公开了一种电子轰击

本发明涉及一种铅玻璃通孔微通道板

本发明公开了一种提升特定波段量子效率的多碱阴极及其制备方法，该光电阴极由下而上由玻璃基底

本发明涉及一种阵列微通道板

本发明涉及微通道板技术领域，公开一种基于脉冲飞秒激光加工微孔阵列并制作微通道板的方法，包括：采用脉冲飞秒激光在透明基片上进行激光改性制作出微孔阵列基底，或者通过激光改性与化学蚀刻结合，制作出微孔阵列基底；在加工好的微孔阵列基底的通道内壁...

本发明公开了一种基于

本发明提供一种微通道板受力形变量测试装置与方法，包括测试基座、可控力施加装置、夹持机构以及光学检测模块，光学检测模块输出端与计算机系统连接。可控力施加装置从微通道板的底部中心区域可控地施加压力，位于微通道板的正上方的光学检测模块从微通道...

本发明涉及光电倍增管加工技术领域，具体而言涉及用于光电倍增管镀膜的蒸镀装置及其制作方法、装置以及光窗镀膜的蒸镀方法、装置，包括：蒸发电极，包括正极以及负极；蒸发源结构，所述蒸发源结构的第一端连接到所述正极，所述蒸发源结构的第二端连接到所...