【技术实现步骤摘要】
本申请涉及超二代像增强管，特别是一种超二代像增强管管壳结构、二次加工方法、超二代像增强管。
技术介绍
1、现有超二代像增强管管壳结构参见图1，包括：第一金属环21’(也称为阴极法兰盘)、多个第一陶瓷环22’、第二金属环23’、第二陶瓷环25’、第三金属环24’、第四金属环26’、第五金属环28’和焊接材料27’，现有管壳结构为第一金属环21’周缘压设于第一陶瓷环22’顶面周缘上；第一陶瓷环22’周缘压设于第二金属环23’上；第二金属环23’下设置另一第一陶瓷环22’，该第一陶瓷环22’设置于第三金属环24’周缘顶面上，第三金属环24’压设于第二陶瓷环25’上；第二陶瓷环25’设置于第四金属环26’上；第五金属环28’设置于第四金属环26’下，各金属环与各陶瓷环轴线重合。压圈30’的斜边抵接于第二金属环23’内侧壁下部，通过压圈30’弹性形变产生的下压力压接于微通道板29’周缘顶面上。
2、微通道板29’容纳设置于第三金属环24’与压圈30’间。任两相接的金属环和陶瓷环之间使用1片焊接材料27’通过钎焊完成管壳的焊接。压圈30’的横截面为梯形，梯形的下长边抵接于微通道板29’周缘上。
3、其中，在像增强管中起主要增强放大作用的微通道板29’(mcp)装配于第三金属环24’上，通过带有缺口的压圈30’将微通道板29’固定在第二金属环和第三金属环24’之间，微通道板29’的输入端和输出端分别与第二金属环23’和第三金属环24’为等电位，微通道板29’两端的电压通过第二金属环和第三金属环24’施加。
5、在实际使用过程中，微通道板29’输入端的电压加载在第二金属环上，再通过压圈30’将电压加载在微通道板29’输入端，压圈30’的下表面与微通道板29’的输入面直接接触，微通道板29’输出端的电压加载在第三金属环24’上，微通道板29’输出端外圈部分和第三金属环24’直接接触。
6、超二代像增强管管壳的第一金属环21’端通过铟锡合金与光电阴极组件封接，第五金属环28’端通过焊接与荧光屏组件相连，光电阴极和微通道板29’输入端的距离称为第一近贴距离，微通道板29’输出和荧光屏之间的距离称为第二近贴距离。为精确控制第一、第二近贴距离，在管壳状态下需对影响第一、第二近贴距离的第一金属环21’端和第五金属环28’端进行二次精密车削加工处理，目前二次加工方法为：使用车床车削加工，先通过第三金属环24’定位车削第五金属环28’到尺寸要求d2，再通过第五金属环28’定位来车削第一金属环21’到尺寸d1要求，该加工方法在整个加工过程中不对第三金属环24’进行二次加工，无法消除第三金属环24’表面已存在的平行度问题，如果对第三金属环24’表面进行全面加工，加工周期长，平行度加工难度大，加工后容易引入毛刺等瑕疵，无法满足影响整体平行度要求。
7、该加工方法及其所得结构存在的问题为：根据微通道板29’的增益与像增强器增益的匹配关系，微通道板29’电压一般在600～1000v之间，假设微通道板29’厚度为a，a一般为0.3～0.5mm，则微通道板29’两端电极距离为c(压圈30’下表面和第三金属环24’上表面的轴向距离)，c＝a-b，其中，b为第三金属环24’盲孔深度，微通道板29’通过该盲孔控制其径向位移。然而微通道板29’圆柱面两端有一个约0.02～0.05mm的倒角，如果第三金属环24’盲孔深度b过小则不能有效起到径向定位作用，微通道板29’相对管壳的微小移动将导致像增强管在工作过程中容易出现微通道板29’接触不良和增益突变的问题。反之如果第三金属环24’盲孔深度b过大，虽然定位深度增加(即b加大)，但同时也导致微通道板29’两端电极距离c减少，在微通道板29’两端电压不变的情况下，必将加大微光像增强管工作时高压放电几率的发生。
8、另外，随着用户对像增强管增益和分辨力要求越来越高，要提高像增强管的分辨力，在第一近贴距离不变的前提下，采用降低微通道板29’单丝丝径的方法较为有效，为了保持微通道板29’合理的长径比(即微通道板29’厚度和微通道板29’单个孔径的直径之比)，微通道板29’单丝丝径的不断降低将引起微通道板29’的厚度a也将越来越小，最终导致微通道板29’两端电极距离c越来越小；
9、此外要提高微通道板29’的增益，提高微通道板29’两端电压也是常用方法之一。
10、综上所述：要同时提高像增强管的增益和分辨力，需要同时实现：加大微通道板29’两端电压和减少微通道板29’两端电极距离，同时降低第一近贴距离、提高第一金属环和第三金属环的平行度。但根据前述分析可知，为实现上述要求势必将加大微光像增强管工作时，管壳内部高压放电几率，最终影响像增强管的良品率。
11、目前使用的加工方法由于车削加工第一金属环21’时，设计基准和测量基准均以第三金属环24’中与微通道板29’直接接触的面为基准，而加工基准为第五金属环，因为设计基准、测量基准和加工基准的不统一导致管壳二次精密加工后，采用该方法加工后工件经测量，控制第一近贴距离的尺寸d1与第三金属环24’的平行度达不到图纸要求的0.01mm的平行度要求，而且该尺寸的波动范围也超出图纸要求的±0.01mm的范围，这就导致加工工件合格率降低，组装后微光像增强管的各项性能无法达到前述各项要求，影响微光像增强管的使用性能。
12、像增强管阴极面与微通道板29’的输入面距离波动大，平行度低于上述要求，面上各点的间距不统一，导致像增强管中心和边缘的分辨率差异大，影响成像质量，还会增加像增强管放电几率导致像增强管击穿后报废，降低组装后器件的使用寿命和使用性能，影响产品质量。
13、现有与微通道板相关器件主要集中于装配方法的相关研究上，例如cn202110459048.9一种一体式的窄边框光电探测器及其制作方法，该制作方法，具有探测效率高、有效探测面积比大、结构紧凑、易加工制作等优点。无法解决本申请提出的上述相关问题。
14、如cn 202110292381.5中公开的超二代像增强器实现近贴聚焦的阴极法兰盘及加工方法，其中公开的阴极法兰盘为第一金属环21’其安装关系，加工方法与本申请所要解决的第三金属环平行度问题完全不同，也无法解决本申请中的放电几率高的问题。
15、公开于
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域普通技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本申本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超二代像增强管管壳结构，包括：第一金属环、两个第一陶瓷环、第二金属环、第三陶瓷环、第三金属环、第二陶瓷环、第四金属环、焊接材料、第五金属环、微通道板、压圈；
2.根据权利要求1所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位结构为径向定位环，向定位环垂直第三陶瓷环内壁向内延伸，径向定位环的内壁与微通道板的外侧壁定位接触；
3.根据权利要求2所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位环与微通道板的周缘均与第三金属环顶面接触；压圈底面与微通道板顶面轴向定位接触；压圈周缘与径向定位环设置间隙；
4.根据权利要求2所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位结构为径向定位凸块；径向定位凸块设置于第三陶瓷环内侧壁，径向定位凸块的内侧壁与微通道板径向定位接触；径向定位凸块顶面与微通道板平齐，或径向定位凸块顶面高于微通道板顶面0.1～0.2mm；
5.根据权利要求4所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，斜面内孔的斜面与水平面夹角为40°～55°之间；
6.根据权利要求2所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在
7.一种二次加工方法，其特征在于，如权利要求1～6中任一项所述的管壳结构的二次精密车削加工包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的二次加工方法，其特征在于，确保加工时，所用加工夹具与管壳的定位面的平面跳动和圆跳动在0.01mm以内。
9.根据权利要求7所述的二次加工方法，其特征在于，第三金属环与微通道板接触面面积的70～80％加工至光面；
10.一种超二代像增强管，其特征在于，包括：如权利要求1～6中任一项所述的管壳结构及微通道板；微通道板封装于该管壳结构中；
...【技术特征摘要】
1.一种超二代像增强管管壳结构，包括：第一金属环、两个第一陶瓷环、第二金属环、第三陶瓷环、第三金属环、第二陶瓷环、第四金属环、焊接材料、第五金属环、微通道板、压圈；
2.根据权利要求1所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位结构为径向定位环，向定位环垂直第三陶瓷环内壁向内延伸，径向定位环的内壁与微通道板的外侧壁定位接触；
3.根据权利要求2所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位环与微通道板的周缘均与第三金属环顶面接触；压圈底面与微通道板顶面轴向定位接触；压圈周缘与径向定位环设置间隙；
4.根据权利要求2所述的超二代像增强管管壳结构，其特征在于，径向定位结构为径向定位凸块；径向定位凸块设置于第三陶瓷环内侧壁，径向定位凸块的内侧壁与微通道板径向定位接触；径向定位凸块顶面与微通道板平齐，或径向定位凸块顶面高于微通道板顶面0.1～0....
【专利技术属性】
技术研发人员：邓华兵，杨士奇，李东泽，龚燕妮，徐传平，李晓君，李家保，王东阳，张新，董永发，范怀云，伏兵，胡栋文，
申请(专利权)人：北方夜视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。