本发明专利技术公开了一种用有机溶剂进行硅片清洗的方法，涉及硅片清洗技术，依次进行以下步骤：a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中：所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；所述超声波的频率28－40kHz，功率为2500－3000W。本发明专利技术的有益效果是：此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层。经检测，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，减少了清洗成本与污染。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能级硅片的制造
，特别涉及硅片清洗技木。
技术介绍
太阳能级硅片由于制成后下段为太阳能电池制绒段，在酸制绒过程中主要依 靠硅片的晶体缺陷和硅片表面损伤层，所以在硅片清洗时既要将硅片表面脏污清洗干净，并且不能破坏娃片表面损伤层。目前硅片的清洗方法为酸洗或者碱洗与硅片反应的硅片清洗方法。无论是酸性溶液还是碱性溶液都一定会破坏硅片制造过程中留下的机械损伤层，但在后段的酸制绒过程中，酸液主要依靠硅片的晶体缺陷和机械损伤层来进行制绒，所以呈酸性或者碱性的无机清洗液无法保证制绒效果。而使用有机清洗剂,就可克服以上存在的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，減少了清洗成本与污染。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案 ，其特征在于依次进行以下步骤a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50 — 100摄氏度的热纯水中超声清洗，清洗10 — 30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30 — 75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中所述有机清洗液YB为有机溶物こ醇与丙酮为溶质的水溶液；在溶液混合吋，こ醇的浓度为95%以上，こ醇在溶液体积中所占比例为44% — 75%，丙酮的浓度为99%以上，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上，其余为纯水；所述超声波的频率28 — 40kHz，功率为1000 —3000W。进ー步 所述超声波的频率是40kHz ;功率是2500-3000W。本专利技术的有益效果是由于，第一歩主要清洗了硅片表面所残留的金属屑和砂浆，第二步主要清洗了硅片表面的油污和有机溶剂，从而此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层。经检测，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，減少了清洗成本与污染。具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，并使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本专利技术作进ー步详细的说明。实施例 首先硅片在切片后应该立即放入50至100摄氏度的热水中进行超声清洗，清洗好的硅片应该立即放入到温度在45到75摄氏度的YB清洗液中超声清洗。YB清洗液应在常温下配制，配制所需溶剂为乙醇和丙酮，乙醇在溶液体积中所占比例为45%至75%，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上。YB超声清洗的时间根据硅片情况而定。在硅片从砂浆液中取出来后暴露空气中的时间超过半小时以上，而且表面脏污比较多的情况下，时间为45分钟以上；在硅片从砂浆液中取出后立即清洗，且表面脏污较少情况下，时间为30分钟以上。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围 内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.，其特征在于依次进行以下步骤a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50 - 100摄氏度的热纯水中超声清洗，清洗10 - 30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30 - 75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；在溶液混合时，乙醇的浓度为95%以上，乙醇在溶液体积中所占比例为44% - 75%，丙酮的浓度为99%以上，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上，其余为纯水；所述超声波的频率28 - 40kHz，功率为1000 —3000W。2.根据权利要求I所述的，其特征在于所述的超声波的频率是40kHz ;功率是2500-3000W。全文摘要本专利技术公开了一种，涉及硅片清洗技术，依次进行以下步骤a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；所述超声波的频率28－40kHz，功率为2500－3000W。本专利技术的有益效果是此方法可以轻松的把硅片表面的脏污清洗干净，并且保留了硅片原有的机械损伤层。经检测，使硅片在后段酸制绒过程中反射率多降低2%左右。不仅清洗效率提高，而且不会引入杂质离子，减少了清洗成本与污染。文档编号B08B3/12GK102806217SQ201210298448公开日2012年12月5日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日专利技术者石坚, 孙志刚, 刘茂华, 韩子强 申请人:安阳市凤凰光伏科技有限公司, 石坚本文档来自技高网...
【技术保护点】
用有机溶剂进行硅片清洗的方法，其特征在于依次进行以下步骤：a硅片从砂浆液中取出后，立即放入50－100摄氏度的热纯水中超声清洗，清洗10－30分钟；b之后，硅片放入有机清洗液YB中，在温度为30－75摄氏度时进行超声清洗，清洗30分钟以上；其中：所述有机清洗液YB为有机溶物乙醇与丙酮为溶质的水溶液；在溶液混合时，乙醇的浓度为95%以上，乙醇在溶液体积中所占比例为44%－75%，丙酮的浓度为99%以上，丙酮在溶液体积中所占比例为10%以上，其余为纯水；所述超声波的频率28－40kHz，功率为1000－3000W。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石坚，孙志刚，刘茂华，韩子强，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，石坚，
类型：发明
国别省市：
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