溅射装置制造方法及图纸

本申请提供一种溅射装置（1），具备：真空腔（11）、在设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置上，隔着规定的间隔并列设置的多个标靶（132a~132d）、在标靶上施加电压的电源、在真空腔内导入气体的气体导入单元（12），在标靶的端部具有覆盖该端部上表面的密封部件（20）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及溅射装置。
技术介绍
在基板上形成薄膜时，从成膜速度快等的优点出发，大多利用磁控溅射方式。在磁控溅射方式中，通过在标靶的后方设置由交替改变极性的多个磁铁构成的磁铁部件，用该磁铁部件在标靶的前方形成磁束捕捉电子，由此提高在标靶前方的电子密度，提高这些电子和导入真空腔内的气体的冲撞概率，增加等离子密度进行溅射。 可是，近年随着基板的大型化，磁控溅射装置也大型化。因此，已知有通过并列设置多个标靶能够对大面积的基板成膜的溅射装置(例如，参照专利文献I )。专利文献I :特开2008-25031号公报(参照图2等)但是，在专利文献I中记载的溅射装置中，在溅射时从标靶弹出的飞溅粒子未附着到基板上，而附着在标靶未侵蚀的区域，所谓的非侵蚀区域上。该附着的飞溅粒子容易因电弧放电等从标靶上脱落。而后，如果该脱落的飞溅粒子附着到基板上，则因为密合性低，所以在该部分上膜容易发生剥落，存在成膜特性降低的问题。因而，本专利技术的课题在于解决上述以往技术的问题点，要提供一种抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着，成膜特性高的溅射装置。
技术实现思路
本专利技术的溅射装置具备真空腔、在标靶上施加电压的电源、在上述真空腔内导入气体的气体导入单元，上述标靶设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置，在上述标靶的端部具有覆盖该端部的上表面的密封部件。本专利技术的溅射装置由于具有密封部件，因而能够覆盖形成在标靶端部上的非侵蚀区域，能够抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。在此，上述标靶隔开规定的间隔并列设置多个，上述密封部件覆盖相邻的上述标靶的相互相对的端部的上表面。由于具有覆盖相邻的标靶的相互相对的端部的上面的密封部件，因而能够覆盖形成在标靶端部上的非侵蚀区域的大部分，能够进一步抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。另外，理想的是在相邻的上述标靶的被上述密封部件覆盖的区域上设置锥形。通过设置锥形，在标靶上难以形成非侵蚀区域，并且例如即使形成了非侵蚀区域，也因为形成锥形，所以与不形成锥形的情况相比飞溅粒子难以附着。另外，因为形成锥形，所以标靶和密封部件难以电连接。另外，理想的是进一步设置密封部件以覆盖上述标靶的并列设置方向的两端的标靶端部的上表面。通过进一步设置该部分，能够进一步覆盖非侵蚀区域，进一步抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着。如果采用本专利技术的溅射装置，则能够抑制飞溅粒子向非侵蚀区域的附着，由此能够起到可以提高成膜特性的优异的效果。附图说明图I是实施方式I的溅射装置的模式剖面图。图2是实施方式I的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。图3是表示实施方式I的标靶以及密封部件的一部分的模式上面图。图4是实施方式2的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。图5是表示参照例以及比较例的测定结果的图表。图6是实施方式3的溅射装置中的标靶附近的模式剖面图。符号说明 I :溅射装置；11 :真空腔；12 :气体导入单元；13 :标靶组合体；14 :磁铁部件；20 密封部件；21 :密封主体；22 :凸缘部；23 :支撑部件；41a、41b :标靶；42 :密封部件；121a、121b :质量流量控制器；122 :气体导入管；123a :气源;131a 131d :衬板；132a 132d :标靶；133a 133d :交流电源；141 :支撑部；142 :中央磁铁；143 :周边磁铁；231 :板形部；232 :突起部；233 :缔结材料;A1 :侵蚀区域;A2 :非侵蚀区域；S基板。具体实施例方式(实施方式I) 以下说明本专利技术的溅射装置。溅射装置I具备真空腔11。在溅射装置I上传送基板S，基板S在真空腔11的顶面一侧上用未图示的基板保持部将成膜面保持在向着地面一侧的状态。在真空腔11的侧壁面上设置气体导入单元12。气体导入单元12通过架设在质量流量控制器121a、121b上的气体导入管122分别与气源123a、123b连接。在气源123a、124b中封入氩气等的溅射气体、H20、02、N2等的反应气体，这些气体用质量流量控制器121a、121b能够以一定的流量导入到真空腔11中。在和设置于真空腔11内的基板S相对的位置上配置标靶组合体13。标靶组合体13具备在上面看大致长方形的4个衬板131a 131d、在设置于各衬板131a 131d的一面上的上面看形成大致正方形的标靶132a 132d。衬板131a 131d制作成比标靶132a 132d稍大。这种衬板131a 131d在用于支撑标靶132a 132d的同时，还具有作为电极板的功能，以能够在相邻的衬板之间施加电压的方式，在相邻的二块衬板上设置配置在真空腔11外部上的一个交流电源。即，在本实施方式中，在衬板131a和衬板131b上连接有交流电源133a，在衬板131c和衬板131d上连接有交流电源133b。另外，在衬板131a 131d的内部设置未图示的液体循环路，其构成是能够冷却标靶132a 132d。标靶132a 132d在IT0、Al合金、Mo等在基板上根据成膜的膜的组成用公知的方法制造。标靶132a 132d以和基板S位于平行的同一平面上的方式隔开间隙并列设置。在标靶组合体13的下侧设置有4个磁铁部件14。磁铁部件14分别形成在同一构造上。磁铁部件14具有支持部141，在支撑部141上以交替改变极性配置的方式，设置有沿着标靶132a 132d的长方向的棒形的中央磁铁142、以包围中央磁铁142的周围的方式由多个磁铁构成的周边磁铁143。由此在标靶132a 132d的前方形成匀称的闭环的隧道状磁束，捕捉在标靶132a 132d的前方电离的电子以及在溅射产生的2次电子。能够提高在作为负极的标靶前方形成的等离子的密度。而且，形成为在标靶132a 132d的宽度方向上磁铁部件14可以移动，尽量少形成以后说明的非侵蚀区域。在这样形成的真空腔11内用气体导入单元12导入溅射气体，在用各交流电源133a、133b在各衬板131a 131d上施加电压后，在标靶132a 132d和基板S之间的空间上形成等离子。而后，通过形成该等离子，标靶132a 132d被溅射，飞溅粒子附着在基板S上，在基板S上形成所希望的膜。在这种情况下，根据等离子的形成位置，标靶表面如图3所示那样，分为侵蚀区域Al，和作为非侵蚀区域的所谓非侵蚀区域A2。S卩，在标靶132a 132d的端部附近上因为难以形成等离子，所以标靶132a 132d未被侵蚀而作为非侵蚀区域A2留下，在作为其他区域的侵蚀区域Al上通过溅射进行侵蚀。可是，在以往的溅射装置中存在以下的问题。即，在溅射中，飞溅粒子附着在基板上形成膜，而根据飞溅粒子的弹出方向，还有些附着在非侵蚀区域上。以下，将在这种飞溅时没有直接附着在基板上的粒子称为非附着粒子。在这种情况下，因为附着在该非附着区域上的非附着粒子和非附着区域的密合性弱，所以因电弧放电等原因容易从非侵蚀区域脱·落而成为尘埃浮游在真空腔11内。而后，该成为尘埃的非附着粒子有可能附着在基板S上。这样，如果非附着粒子进入了所形成的膜的一部分，则该部分和构成其他膜的部分密合性低，已形成的膜容易剥落。因而成膜特性劣化。即，在以往的溅射装置中，因为存在由于来自非侵蚀区域的非附着粒子在膜中作为异物进入致使成膜特性恶化的问题，所以需要对其进行抑制。因而，在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.01 JP 2010-0447961.一种溅射装置，具备真空腔、在标靶上施加电压的电源、在上述真空腔内导入气体的气体导入单元，上述标靶设置于与设置在该真空腔内的基板相对的位置，上述溅射装置的特征在于 在上述标靶的端部具有覆盖该端部的上表面的密封部件。2.根据权利要求I所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛铁兵，金正健，郑炳和，李尚浩，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：