本发明专利技术涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、半导体芯片提取；步骤二、半导体芯片背面泡酸；步骤三、半导体芯片背面去酸；步骤四、半导体芯片去离子水清洗。本发明专利技术用镊子或者吸笔提取半导体芯片不容易造成碎片，将半导体芯片背面氧化层能够去除干净又保证芯片正面不与酸液接触，使二种目的都能实现，与后期加工工艺达到最佳匹配，全面提高产品稳定性及可靠性。该适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，属于集成电路或分立器件芯片制造
技术介绍
长期以来，半导体芯片封装时打线一直采用金线，随着近年来市场竞争的白热化，产品的成本降低、产品的可靠性已经成为各个封装厂家产品竞争力的主要标准。各封装厂家为了降低生产成本，逐渐由目前的金线改为铜线或铝线，对半导体芯片正面压点铝层有了更高要求。而作为分立器件制造中的最后一道工序一背面金属化，由于该工序为了保证芯片的可靠性，降低背面接触电阻，需对背面进行去氧化层的泡酸处理，泡酸过程中对正面铝层的保护成为一道难道。 在本专利技术作出以前，常用的适用于半导体芯片背面金属化前处理的泡酸工艺主要采用以下两个技术现行工艺一、将需要进行泡酸处理的芯片全部浸入酸液中一段时间。其不足之处在于 1、半导体芯片正面压点铝层存在一定的腐蚀，半导体芯片正面压点铝层质量下降，影响后期制程； 2、背面氧化层不能完全去除干净，造成背面金属化工艺不稳定，易造成致命失效； 3、与后续工艺配合不佳。现行工艺二、将半导体芯片的正面用胶膜进行保护，再进行泡酸作业。其不足之处在于 1、成本较高； 2、操作复杂，硅片较薄时不易加工。综上所述现行的两种工艺无法达成既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺。本专利技术的目的是这样实现的 一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤 步骤一、半导体芯片提取 采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片， 当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘；当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3 1/2半径处的偏心位置； 步骤二、半导体芯片背面泡酸 将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片放入到泡酸容器中进行背面泡酸，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出Olmm，所述半导体芯片正面向上放置于衬垫的上表面，所述衬垫为耐酸多孔衬垫； 步骤三、半导体芯片背面去酸 采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗； 步骤四、半导体芯片去离子水清洗 将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5 10min。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是 本专利技术用镊子或者吸笔提取半导体芯片不容易造成碎片，将半导体芯片背面氧化层能够去除干净又保证芯片正面不与酸液接触，使二种目的都能实现，与后期加工工艺达到最佳匹配，全面提高产品稳定性及可靠性。该适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。附图说明图I为本专利技术适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺的半导体芯片背面泡酸步骤示意图。其中 半导体芯片I 泡酸容器2 衬垫3 酸液4。具体实施例方式本专利技术涉及的一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，它包括以下工艺步骤 步骤一、半导体芯片提取 采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片1， 当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘； 当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3 1/2半径处的偏心位置。步骤二、半导体芯片背面泡酸 将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片I放入到泡酸容器2中进行背面泡酸，所述泡酸容器2中设置有衬垫3，所述衬垫3上浸满酸液4，所述酸液4的液位比衬垫3高出(T2mm，所述半导体芯片I正面向上放置于衬垫3的上表面，所述衬垫3为耐酸多孔衬垫。保证半导体芯片背面泡酸完成后半导体芯片背面呈“疏水”状，“疏水”状主要指半导体芯片从酸液取出后，大部分酸液立即从半导体芯片背面滑落，半导体芯片背面干燥。步骤三、半导体芯片背面去酸 采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗。保证半导体芯片背面全部用去离子水冲洗到。步骤四、半导体芯片去离子水清洗 将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗， 去离子水清洗时间为5 10min。权利要求1.一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤 步骤一、半导体芯片提取 采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片， 当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘； 当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3 1/2半径处的偏心位置； 步骤二、半导体芯片背面泡酸 将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片放入到泡酸容器中进行背面泡酸，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出Olmm，所述半导体芯片正面向上放置于衬垫的上表面，所述衬垫为耐酸多孔衬垫； 步骤三、半导体芯片背面去酸 采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗； 步骤四、半导体芯片去离子水清洗 将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5 10min。全文摘要本专利技术涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤步骤一、半导体芯片提取；步骤二、半导体芯片背面泡酸；步骤三、半导体芯片背面去酸；步骤四、半导体芯片去离子水清洗。本专利技术用镊子或者吸笔提取半导体芯片不容易造成碎片，将半导体芯片背面氧化层能够去除干净又保证芯片正面不与酸液接触，使二种目的都能实现，与后期加工工艺达到最佳匹配，全面提高产品稳定性及可靠性。该适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。文档编号B08B3/08GK102764740SQ201210223359公开日2012年11月7日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日专利技术者丁军, 冯东明, 叶新民, 王光伟, 王新潮 申请人:江阴新顺微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：步骤一、半导体芯片提取采用镊子夹取或者吸笔吸取半导体芯片，当半导体芯片厚度小于100微米时，采用镊子夹取半导体芯片边缘；当半导体芯片厚度不小于100微米时，采用吸笔吸取半导体芯片1/3~1/2半径处的偏心位置；步骤二、半导体芯片背面泡酸将镊子夹取或者吸笔吸取的半导体芯片放入到泡酸容器中进行背面泡酸，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出0~2mm，所述半导体芯片正面向上放置于衬垫的上表面，所述衬垫为耐酸多孔衬垫；步骤三、半导体芯片背面去酸采用镊子夹取或者吸笔吸取背面泡酸完成的半导体芯片，对半导体芯片的背面进行去离子水冲洗；步骤四、半导体芯片去离子水清洗将背面去酸完成的半导体芯片浸在去离子水的片架中进行半导体芯片去离子水清洗，去离子水清洗时间为5~10min。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，冯东明，丁军，王光伟，叶新民，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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