LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：一导电载片，用于作为所述LED芯片的金属衬底；一N型接触电极，位于所述导电载片之上；一Ag基底层，位于所述N型接触电极之上；一P型接触电极，位于所述Ag基底层之上的一开槽中；一P型GaN基半导体层，位于所述Ag基底层之上；一N型GaN基半导体层，位于所述P型GaN基半导体层之上，所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接。本发明专利技术实施例可以使LED芯片电流分布更均匀，并提高光效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是半导体照明技术的核心，其发光是由pn结在注入高密度电流时的电子和空穴复合而产生的。简单的同质结构Pn结不易得到高效率，因为pn结材料间的折射率之差低，光的阈值也低。双异质结可以提高效率，Pn结材料与有源层材料不同，带隙较高，可以得到较高的折射率之差，所辐射的光不但强而且半高宽较窄。目前，LED的有源层都采用了量子阱结构，其厚度减小到与德布罗意波长相近时，量子效应显现，其带隙不连续。同时，量子阱材料可以改变晶格不匹配以产生压缩性或者伸张性应变，这些应变可以改变波长并减少临界电流。 高功率GaN基白光LED的管芯是采用由禁带宽度不同的异质结材料制成的，其中折射率高的窄禁带材料作有源区，折射率宽禁带材料作限制层。典型的GaN基蓝光LED芯片，底层为具有高浓度自由电子的材料(掺Si的n型GaN)，然后生长多个具有起伏的较小带隙的量子讲薄层材料(l_30nm厚的InGaN/GaN),较小带隙的(InGaN)夹在较大带隙材料(GaN)之间，形成的量子阱实现电子和空穴的空间分离，在阱区形成有效的复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：一导电载片，用于作为所述LED芯片的金属衬底；一N型接触电极，位于所述导电载片之上；一Ag基底层，位于所述N型接触电极之上；一P型接触电极，位于所述Ag基底层之上的一开槽中；一P型GaN基半导体层，位于所述Ag基底层之上；一N型GaN基半导体层，位于所述P型GaN基半导体层之上，所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：房力，
申请(专利权)人：北京地调科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：