【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED照明装置领域，具体为ー种有效提高绝缘性能的大功率LED的封装结构。技术背景随着LED灯技术的进步和人们对节能的日益重视，相比传统照明器更节能的LED照明器日益受到欢迎，应用越来越广，常见的LED芯片封装结构采用导电或者非导电胶将LED芯片装在散热块上，用导线连接好后再用环氧树脂封装，其热阻高达300°C /W，LED灯具外壳还必须经过高压电测试，以确定安全标准。但上述方案中，在灯具接通高压电吋，LED芯片、散热块与灯具外壳连接，而散热块是金属导电材料，容易造成芯片损坏，同时芯片结温上升和环氧碳化也会造成光衰减，因此，需要一种能通过高压电测试，且将芯片直接封装的方案以解决上述问题。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术提供ー种有效提高绝缘性能的大功率LED的封装结构。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是大功率LED的封装结构，包括金属散热基板和设置在金属散热基板下的LED芯片，并通过荧光封装胶体把LED芯片覆盖起来，所述金属散热基板和LED芯片依次设置有氮化铝陶瓷导热层、绝缘层薄膜和电极片，其中电极片由正电极片和负电极片组成，所述正电极片和负电极片分别与LED芯片正、负极的引脚连接。为了保证绝缘效果,所述绝缘层薄膜厚度为2 5 μ m。为了提高散热效果，所述金属散热基板顶部设置有散热片。为了便于LED芯片的连接通电，所述正电极片和负电极片分别绕成半圆弧状分布在绝缘层薄膜两侧。本技术的有益效果是该封装结构通过合理的结构改造，其高绝缘性能的大功率LED灯具封装结构使用氮化铝陶瓷导热层、绝缘层薄膜于芯片与散热块之间，氮化铝陶瓷具有良好的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.大功率LED的封装结构，其特征在于包括金属散热基板(I)和设置在金属散热基板(I)下的LED芯片(2)，并通过荧光封装胶体(3)把LED芯片(2)覆盖起来，所述金属散热基板(I)和LED芯片(2)依次设置有氮化铝陶瓷导热层(4)、绝缘层薄膜(5)和电极片(6)，其中电极片(6)由正电极片(61)和负电极片(62)组成，所述正电极片(61)和负电极片(62)分别与LED芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：王清平，
申请(专利权)人：广东科立盈光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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