一种垂直结构功率器件制造技术

本发明专利技术公开了一种垂直结构功率器件，其目的是以更低成本提供更高性能的功率器件，本发明专利技术中，垂直结构功率器件包括：漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型柱、p型柱和绝缘区相互并列；过渡区，所述过渡区位于所述漏区和漂移区之间；体区，所述体区包括具有第二导电类型的第二半导体材料，所述第二导电类型同所述第一导电类型相反，所述体区和所述漏区被所述漂移区隔开；源区，所述源区具有第一导电类型且位于所述体区内，所述源区同所述漂移区隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及功率器件。更具体地说，本专利技术的实施例涉及垂直结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。
技术介绍
同传统的双极性器件相比，垂直结构的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)普遍具有更加优越的功率开关特性。然而，垂直结构的功率MOSFET的导通电阻会随着击穿电压的升高而急剧增大，致使其无法应用于高电压场合。获得较低导通电阻且同时维持较高击穿电压的一个办法是使用“超结”结构。图I示出传统的具有超结结构的垂直n型MOSFET的示意图。如图I所示，MOSFET 10包括漏极12，所述漏极12与n型漏区13耦接于第一端10a。MOSFET 10还包括耦接于n型源区20上的源极14，与漏极12于第二端IOb处隔离开的栅极16以及位于第一端IOa和第二端IOb之间的漂移区18。M0SFET10还包括邻接于源极14和栅极16的p阱21，该p阱21形成场效应管的体区。漂移区18包括p型柱22和n型柱24，该p型柱22和n型柱24并列形成“超结”。P型柱22和n型柱24具有特定的掺杂浓度，以使其在横向上至少能够基本相互耗尽。因此，MOSFET10的源极14和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构功率器件，包括：漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型柱、p型柱和绝缘区相互并列；过渡区，所述过渡区位于所述漏区和漂移区之间；体区，所述体区包括具有第二导电类型的第二半导体材料，所述第二导电类型同所述第一导电类型相反，所述体区和所述漏区被所述漂移区隔开；源区，所述源区具有第一导电类型且位于所述体区内，所述源区同所述漂移区隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐纳德·R·迪斯尼，邢正人，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：