【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种半导体器件，更具体地说，尤其涉及一种功率开关器件。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)作为一种常断开关器件，能够降低栅极驱动的功率损耗，因而通常是高压应用的首选。然而，mosfet较大的寄生电容会给高压应用带来较大的开关损耗。作为替代方案，碳化硅(sic)器件具有更小的寄生电容。
2、结型场效应晶体管(jfet)是近年来流行的一种sic器件，在高压应用中通常与mosfet以级联的结构结合使用。图1示出了一种典型的级联结构100。如图1所示，级联结构100包括jfet j1和mosfet m1。jfet j1的栅极gj接地，mosfet m1的栅极gm耦接至驱动器dr。一般来说，jfet j1是高压常通开关器件，mosfet m1则是低压常断开关器件，其中高压可以包括高于100v的电压，低压可以包括低于100v的电压。例如，jfet j1可以维持1700v的电压，mosfet m1则可以具有28v的击穿电压。除非jfet j1的栅源电压变为负电压，否则jfetj1均处于导通状态...
【技术保护点】
1.一种具有级联结构的功率开关器件，具有第一端子和第二端子，所述功率开关器件包括：
2.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
3.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
4.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
5.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
6.一种形成功率开关器件级联结构的方法，包括：
7.如权利要求6所述的方法，其中：
8.如权利要求6所述的方法，其中：
9.如权利要求6所述的方法，其中：
10.一种具有级联结构的功率开关器件，具有第一端子...
【技术特征摘要】
1.一种具有级联结构的功率开关器件，具有第一端子和第二端子，所述功率开关器件包括：
2.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
3.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
4.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
5.如权利要求1所述的功率开关器件，其中：
6.一种形成功率开关器件级联结构的方法，包括：
7.如权利要求6所述的方法，其中：
8.如权利要求6所述的方法，其中：
【专利技术属性】
技术研发人员：维平达斯·帕拉，刘攀银，王力，范强，杨向一，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。