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本发明公开了一种垂直结构功率器件，其目的是以更低成本提供更高性能的功率器件，本发明中，垂直结构功率器件包括：漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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