一种半导体结构制造技术

一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、源/漏区、源/漏延伸区和栅极，其中：所述源/漏区和所述源/漏延伸区形成于所述衬底之中，所述源/漏延伸区的厚度小于所述源/漏区的厚度，其中在所述源/漏区以及至少部分所述源/漏延伸区的上表面存在接触层，所述接触层为CoSi2、NiSi或者Ni(Pt)Si2-y中的一种或其组合且所述接触层的厚度小于6nm。利于降低接触电阻，还可以使该半导体结构在后续的高温工艺中保持良好的性能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，罗军，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：实用新型
国别省市：