本发明专利技术提供一种镀膜装置及利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法，其中，氧化钨吸附管制作方法包括：将吸附管基管置于座体的承载台上；将钨丝和弹性件跨接在座体上，使得钨丝贯穿吸附管基管；将配置有吸附管基管和钨丝的镀膜装置置于真空环境下，对钨丝进行加电处理，钨丝在加电情况升华为钨气并遇到温度较低的吸附管基管后凝华在吸附管基管的内壁表面以形成黑色的钨镀层；将凝华有钨镀层的吸附管基管进行加热氧化处理，以使得钨镀层氧化为浅黄色的三氧化钨，从而制作完成氧化钨吸附管。相较于现有技术，本发明专利技术镀膜装置结构简单，利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法简单、快速，且可使得制作出的氧化钨吸附管具有结合力强和均匀度高等优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于氨气浓缩检测技术中的氧化钨吸附管的制作方法及实施所述制作方法的镀膜装置。
技术介绍
氨气是ー种无色、具有強烈刺激性气味的气体，空气中可感觉到的氨气最低浓度为O. 5mg/m3至lmg/m3 (或700ppb至1400ppb)。空气中的氨气因易溶于水而常附着在皮肤黏膜、眼结膜及呼吸道咽喉黏膜，对皮肤组织产生刺激井引发炎症，可麻痹呼吸道纤毛和损害黏膜上皮组织，使病源微生物易于侵入，减弱身体对疾病的抵抗力。如果人体短期内吸入大量氨气，则可出现流泪、咽痛，声音撕哑、咳嗽、痰带血丝、胸闷、呼吸困难等临床症状，并伴有头晕、头痛、恶心、呕吐、乏カ等，严重的可发生肺水肿、呼吸道刺激炎症等。 微电子制造加工エ业的净化室中，数百ppt (part per trillion, IOOppt相当于7. Ixl0-5mg/m3)极微量的氨气的存在，即可造成不良率提高。光是台湾地区，由此造成的损失毎年可达数千万元新台币。因此，国际半导体技术路线图(ITRS )和国际半导体设备和材料组织(SEMI)建议以氨气为主的的碱性污染物浓度不得高于150ppt。对氨气的检测方法有很多，主要有离子色谱法、纳氏试剂分光光度法、次氯酸钠-水杨酸分光光度法和检测管法等。离子色谱法具有选择性，且灵敏，但取样困难、不能实地检测且使用大型仪器价格曰虫印贝ο纳氏试剂分光光度法方法简便，但选择性差，且测定过程中使用的纳氏试剂含有大量的汞盐，毒性很强，极易危害分析人员的身体健康，同时造成环境的二次污染。次氯酸钠-水杨酸分光光度法较灵敏，选择性好，但操作较复杂繁琐，需花费较长时间，不适合大气环境污染的应急监侧。这些測定方法操作步骤较为复杂，不能实地在线测定，延长了分析时间，増大了分析误差。另外，有些试剂毒性较大，会对操作人员的健康及周围环境造成影响。此外，上述检测方法和技木，对于浓度在ppb以下水平的氨气无能为力。PID(Photo-Ionization Detector)即光离子化检测器，它可以检测 lppb(parts per billion)到上万ppm(parts per million)的挥发性有机化合物(VOC)和其它有毒气体。PID是ー个高度灵敏、适用范围广泛的检测器。PID使用了ー个紫外灯(UV)光源将待检测气体分子电离成可被检测器检测到的正负离子(离子化)。检测器电极捕捉到离子化了的气体的正负电荷并将其转化为电流信号，该电流信号和待测气体浓度之间存在线性关系，通过与标准浓度信号対照，即可实现气体浓度的測量。从理论上说，任何ー种元素的原子和化合物都可以被离子化，只是它们在电离时所需的能量各不相同，而这种可以激发化合物中ー个电子，即将化合物电离或离子化的能量被称为电离能或“电离电位”，它以eV为计量単位。由紫外灯发出的紫外光的能量也以eV为单位。如果待测气体分子的电离电位低于灯的发射能量，那么，这种气体分子就可以被离子化，这种气体或蒸气也就可以被PID检测。氨气的电离电位为10. 16eV，它可以用带10. 6eV紫外灯的PID检测，其检测下限在IOppb左右。对半导体工业的无尘室等ppb水平以下超低浓度氨气的检测，必须先以一定的技术对氨气进行富集浓缩到IOppb以上，再用PID进行检测。以石英或高硼硅玻璃管为基管，在其内壁镀以氧化钨，氧化钨具有选择性吸附氨气的性能，利用氧化钨吸附管选择性吸附氨气，再以小流量载气脱附，即可有效浓缩超低浓度氨气。Ali、Braman、McClenny和Pogany等人对氧化鹤管制作进行尝试,并将该技术和精密光学检测技术结合在一起用于环境中微量氨气的检测。但这些文献报道的氧化钨镀膜步骤较为复杂；由于是局部抽真空，对玻璃管两端密封要求较高；钨丝受热膨胀发生扭曲，使钨丝上各点与管壁的距离不能均匀一致，并最终导致氧化钨镀层分布不均匀，影响对氨气的吸附效率。再则，精密光学检测技术所用的仪器均为实验室大型设备，不能用于现场检测。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氧化钨吸附管的制作方法及实施所述制作方法的镀膜装置，使得制作过程简单、快速，且制作出的氧化钨吸附管具有结合力强和均匀度高等优点。本专利技术在一方面提供一种制作氧化钨吸附管的镀膜装置，包括座体；设于所述座体上、用于承载待处理的吸附管基管的承载台；跨设在所述座体上的钨丝和弹性件，其中，所述钨丝贯穿所述吸附管基管，所述钨丝的第一端固定在所述座体上，所述钨丝的第二端与所述弹性件的第一端相连接，所述弹性件的第二端固定在所述座体上。可选地，所述吸附管基管为以石英玻璃或高硼硅玻璃为材质的玻璃管，其内径为2毫米至5毫米。可选地，所述钨丝与所述吸附管基管的中轴线相重合。可选地，所述钨丝的直径为0. 2毫米至I. 0毫米。可选地，所述弹性件为拉伸弹簧，确保所述钨丝在加电受热膨胀时仍处于拉直状态。 本专利技术在另一方面提供一种利用如上所述的镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法，包括将待处理的吸附管基管放置于所述座体的承载台上；将所述钨丝和所述弹性件跨接在所述座体上，其中，所述钨丝贯穿所述吸附管基管，所述钨丝的第一端固定在所述座体上，所述钨丝的第二端与所述弹性件的第一端相连接，所述弹性件的第二端固定在所述座体上；将配置有吸附管基管和钨丝的镀膜装置整体置于真空环境下，对所述钨丝进行加电处理，其中的部分钨丝在加电情况升华为钨气，在遇到温度较低的所述吸附管基管后又凝华在所述吸附管基管的内壁表面上形成黑色的钨镀层；将凝华有所述钨镀层的所述吸附管基管进行加热氧化处理，以使得所述钨镀层氧化为浅黄色的三氧化钨，从而制作完成氧化鹤吸附管。可选地，在将待处理的吸附管基管放置于所述座体的承载台上之前还包括对待处理的吸附管基管进行预处理，所述预处理包括将待处理的吸附管基管依序经过丙酮、质量百分比为20%至60%的氢氧化钠溶液、体积百分比为20%至60%氢氟酸溶液进行浸泡,利用去离子水进行清洗，再实施烘干。可选地，所述真空环境的压强为400Pa以下。可选地，所述加电处理包括在所述钨丝的两端通上IOA至18A的直流电流，通电时间为20分钟至60分钟。可选地，其特征在于，所述加热氧化处理包括将所述吸附管基管加热到200°C至500°C，氧化时间为5分钟至60分钟。相较于现有技术，本专利技术提供一种用于制作氧化钨吸附管的镀膜装置及利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法，其中，所述镀膜装置结构简单，其包括座体、用于承载吸附管基管的承载台、以及跨设在所述座体上的钨丝和弹性件，在一方面可以利用承载台平稳承载待处理的吸附管基管，而在另一方面可以确保贯穿吸附管基管的钨丝始终处于拉直状态并与所述吸附管基管的中轴线相重合，这样，利用所述镀膜装置制作氧化钨吸附管，可以 使得制作出的氧化钨吸附管具有结合力强和均匀度高等优点。附图说明图I为本专利技术提供的镀膜装置与待处理的吸附管基管的装配示意图。图2为本专利技术提供的利用镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法的流程示意图。I镀膜装置11座体13承载台15鹤丝17弹性件19连接块20吸附管基管S201 S209 步骤具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制作氧化钨吸附管的镀膜装置，其特征在于，包括 座体； 设于所述座体上、用于承载待处理的吸附管基管的承载台； 跨设在所述座体上的钨丝和弹性件，其中，所述钨丝贯穿所述吸附管基管，所述钨丝的第一端固定在所述座体上，所述钨丝的第二端与所述弹性件的第一端相连接，所述弹性件的第二端固定在所述座体上。2.根据权利要求I所述的制作氧化钨吸附管的镀膜装置，其特征在于，所述吸附管基管为以石英玻璃或闻硼娃玻璃为材质的玻璃管，其内径为2晕米至5晕米。3.根据权利要求I所述的制作氧化钨吸附管的镀膜装置，其特征在于，所述钨丝与所述吸附管基管的中轴线相重合。4.根据权利要求I或3所述的制作氧化钨吸附管的镀膜装置，其特征在于，所述钨丝的直径为0. 2毫米至I. 0毫米。5.根据权利要求I所述的制作氧化钨吸附管的镀膜装置，其特征在于，所述弹性件为拉伸弹簧，确保所述钨丝在加电受热膨胀时仍处于拉直状态。6.一种利用如权利要求I至5所示的镀膜装置制作氧化钨吸附管的方法，其特征在于，所述制作方法包括 将待处理的吸附管基管放置于所述座体的承载台上； 将所述钨丝和所述弹性件跨接在所述座体上，其中，所述钨丝贯穿所述吸附管基管，所述钨丝的第一端固定在所述座体上，所述钨丝的第二端与所述弹性件的第一端相连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞志鹤，闵嘉华，居海斌，
申请(专利权)人：华瑞科学仪器上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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