半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后，从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而，使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域，因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造技术，并且，具体而言，本专利技术涉及有效适用于由平面地设置的多个半导体芯片形成的半导体器件的技木。
技术介绍
例如，公开号为JP2004-356382的日本未审查专利(专利文献I)公开了由平面地设置的多个半导体芯片形成的半导体集成电路装置(半导体器件)的结构。专利文献I中公开的结构如下在引线键合的半导体芯片A和B中，焊球键合侧上的半导体芯片A的厚度大于针脚键合侧上的半导体芯片B的厚度。[专利文献I]公开号JP2004-356382的日本未审查专利。
技术实现思路
近年来，已开发出其中并入了多个半导体芯片的各种半导体器件。在这些装置中，存在如下半导体器件多个半导体芯片安装在这些半导体器件中并且放置(平面结构)在单个放置部分(裸片焊盘)上，例如专利文献I所述。本专利技术人考虑了进ー步减小这种半导体器件的外部尺寸。为了减小如上所述的这种半导体器件的外部尺寸，例如可以使用以下方法减小相邻的半导体芯片之间的距离，从而，减小芯片放置部分的外部尺寸。但是，当如专利文献I所述，多个半导体芯片安装在一个芯片放置部分上吋，需要采取以下方法必需精确地执行对准，以使得首先安装的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.15 JP 2011-0560731.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤 (a)提供引线框架，所述引线框架包括裸片焊盘、第一引线组、第二引线组以及多个悬置引线，其中，所述裸片焊盘由具有相对布置的ー对第一侧边以及与所述第一侧边相交并且相对布置的ー对第二侧边的四边形构成，所述第一引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的ー个侧边设置，所述第二引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的另ー侧边设置，所述多个悬置引线分别连接至所述裸片焊盘的第二侧边； (b)在所述裸片焊盘的第一区域中安装第一半导体芯片，并且在平面图中在靠近所述第一区域设置的裸片焊盘的第二区域中安装第二半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一正面、多个第一键合焊盘和第一背面，所述多个第一键合焊盘在所述第一正面上形成，所述第一背面与所述第一正面相对，所述第二半导体芯片具有第二正面、多个第二键合焊盘和第二背面，所述多个第二键合焊盘在所述第二正面上形成，所述第二背面与所述第二正面相对； (C)经由多个外部键合线分别将所述第一键合焊盘的多个外部键合焊盘和所述第二键合焊盘的多个外部键合焊盘与所述第一引线组和所述第二引线组电连接，并且经由多个内部键合线将所述第一键合焊盘的多个内部键合焊盘与所述第二键合焊盘的多个内部键合焊盘电连接；以及 (d)从所述裸片焊盘的第二侧边中的ー个侧边向另ー侧边提供树脂，并且采用所述树脂密封所述裸片焊盘、所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述外部键合线以及所述内部键合线， 其中，所述第二区域位于平面图中所述第一区域和所述裸片焊盘的第二侧边的另ー侧边之间， 其中，所述第一半导体芯片的内部键合焊盘包括第一焊盘组和第二焊盘组， 其中，所述第二半导体芯片的内部键合焊盘包括第三焊盘组和第四焊盘组， 其中，所述内部键合线包括分别电连接所述第一焊盘组和所述第三焊盘组的多个第一内部键合线，以及分别电连接所述第二焊盘组和所述第四焊盘组的多个第二内部键合线， 其中，所述第一焊盘组和所述第二焊盘组之间的距离大于所述第三焊盘组和所述第四焊盘组之间的距离，以及 所述第一焊盘组和所述第二焊盘组之间的距离大于多个内部键合焊盘的长度。2.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的距离小于或等于所述第一引线组或所述第二引线组中的ー个引线的宽度。3.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，所述第一焊盘组与所述第一半导体芯片的数字内部接ロ电路电连接，并且所述第二焊盘组与所述第一半导体芯片的模拟内部接ロ电路电连接， 其中，所述第三焊盘组与所述第二半导体芯片的数字内部接ロ电路电连接，并且所述第四焊盘组与所述第二半导体芯片的模拟内部接ロ电路电连接， 其中，所述第一内部键合线是使所述第一焊盘组分别与所述第三焊盘组电连接的多个内部数字键合线，以及 其中，所述第二内部键合线是使所述第二焊盘组分别与所述第四焊盘组电连接的多个内部模拟键合线。4.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，在步骤(b)中，通过识别在所述裸片焊盘的第一侧边中形成的切断部分来辨别所述第一区域和所述第二区域。5.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，在步骤(b)中，通过识别在平面图中的奇异形引线而辨别所述第一区域和所述第二区域，所述奇异形引线的形状不同于所述第一焊盘组和所述第二焊盘组这两者中的或者其中任一个中的多个引线中的其他引线。6.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，在步骤(C)中，所述第一半导体芯片侧边作为用于引线键合的第一键合，并且，所述第二半导体芯片侧边作为用于引线键合的第二键合。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法， 其中，在所述第二键合侧边处，在第二半导体芯片之上形成的突起电极上执行引线键合。8.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，所述第一半导体芯片的键合焊盘的间距比所述第二半导体芯片的键合焊盘的间距窄。9.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，所述第二半导体芯片的键合焊盘的间距比所述第一半导体芯片的键合焊盘的间距窄，以及 在步骤(C)中，所述第二半导体芯片侧边作为用于引线键合的第一键合，并且，所述第一半导体芯片侧边作为用于引线键合的第二键合。10.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，在平面图中所述第一半导体芯片的芯片尺寸小于第二半导体芯片的芯片尺寸。11.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，所述第一半导体芯片的第一键合焊盘的设置是三侧边焊盘设置，在该设置中，所述第一键合焊盘沿着所述第一半导体芯片的第一正面的三侧边设置，以及其中，引线不设置在对应于所述裸片焊盘的第二侧边的位置。12.根据权利要求I所述的半导体器件的制造方法， 其中，在平面图中包括所述第一引线组和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：沼崎雅人，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：