【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体芯片的TSV封装结构。
技术介绍
目前，半导体芯片的TSV封装一般采用先开槽状开口，再开圆孔硅开口，使圆孔硅底部露出芯片PIN，然后激光打孔打穿芯片PIN，完成电路的导出。这种方式，比较适合芯片PIN较大的结构，而对于芯片PIN 偏小的产品，在芯片PIN上开圆孔的开口大小相对具有局限性，这就导致激光打孔的偏移量允许范围较小，激光打孔容易打到圆孔边缘的硅造成短路，从而使广品的不良率较闻。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术提供了一种半导体芯片的TSV封装结构，该TSV封装结构不仅简单，操作容易，而且可适用于芯片PIN较小的产品，同时不良率降低。本技术为了解决其技术问题所采用的技术方案是一种半导体芯片的TSV封装结构，所述半导体芯片具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN，在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层；在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔；另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔(孔形状和孔径不限)。作为本技术的优选方案，所述硅开口形成的硅层侧面和其底部的夹角为65-70 度。作为本技术的优选方案，所述娃层的厚度为IOOum和125um之一。作为本技术的优选方案，所述激光打孔可为圆形孔、半圆形孔、椭圆形孔、矩形孔或套孔。作为本技术的进一步改进...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的TSV封装结构，所述半导体芯片(I)具有两个层面，一个层面为芯片电路层，一个层面为硅层(2)，所述芯片电路层上设有若干个芯片PIN(3)，其特征在于在所述硅层上对应所述芯片PIN四周的硅蚀刻出硅开口(4)使所述芯片PIN裸露，在所述硅层和硅开口的表面以及裸露出的芯片PIN上侧面均设有一层钝化绝缘层(5);在所述硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层上设有若干个激光打孔￠);另在该硅开口底部即靠近芯片PIN上的钝化绝缘层中间设有切割道(7)，使所述芯片PIN隔离形成两部分，且该隔离形成的每个芯片PIN部分均至少具有一个激光打孔。2.根据权利要求I所述的半导体芯片的TSV封装结构，其特征在于所述硅开口形成的硅层侧面和其底部的夹角为65-70度。3.根据权利要求I所述的半导体芯片的TSV...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈建树，王晔晔，赖芳奇，张春艳，吕军，黄小花，房玉亮，张志良，姜丁荧，顾高峰，施林波，许红权，
申请(专利权)人：昆山西钛微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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