一种超高压贴片二极管制造技术

技术编号:7567956 阅读:157 留言:0更新日期:2012-07-15 00:29
本实用新型专利技术公开了一种超高压贴片二极管,包括多层硅芯片、两根铜引线以及环氧塑封体,所述多层硅芯片位于两根铜引线之间,该多层硅芯片通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将多层硅芯片及两端的焊料包裹在其中,而整个超高压贴片二极管除两根铜引线的外露端头外,其余部分均包裹在所述环氧塑封体内,该环氧塑封体呈扁平状。其显著效果是:结构简单,将轴向封装的二极管改为贴片封装,不仅具有耐高压的特点,而且适应了产品小型化的发展趋势,元件的性能也比较稳定,提高了市场竞争力。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

一种超高压贴片二极管
本技术涉及二极管生产工艺,具体地说,是一种超高压贴片二极管。技术背景普通型超高压二极管属于一种半导体整流器件,广泛应用于各种高频电源、汽车电子、电脑显示器以及负离子发生器等设备中,其输出电流从20毫安到1000毫安分类不等,反向击穿电压根据芯片规格不同有1000V、2000V、3000V、4000V、5000V等类别。但目前产品往往采用轴向式封装,元件占据空间较大,随着产品小型化的发展趋势,急需设计出一种超高压的贴片二极管。
技术实现思路
为了使用产品小型化的发展趋势,本技术提出一种超高压贴片封片二极管, 该超高压贴片二极管,包括多层硅芯片、两根铜引线以及环氧塑封体,所述多层硅芯片位于两根铜引线之间,该多层硅芯片通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将多层硅芯片及两端的焊料包裹在其中,而整个超高压贴片二极管除两根铜引线的外露端头外,其余部分均包裹在所述环氧塑封体内,该环氧塑封体呈扁平状。作为进一步描述,所述两根铜引线的外漏端头经打扁、整形处理呈扁平状。为了防止铜引线松动,在两根铜弓I线的塑封段上分别设置有凸台。本技术的显著效果是结构简单,将轴向封装的二极管改为贴片封装,不仅具有耐高压的特点,而且适应了产品小型化的发展趋势,元件的性能也比较稳定,提高了市场竞争力。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式为了使本技术更容易被理解,下面将参照附图和具体实施方式对本技术做更详细的描述。如图1所示,一种超高压贴片二极管,包括多层硅芯片1、两根铜引线2以及环氧塑封体3,多层硅芯片1位于两根铜引线2之间,多层硅芯片1通过焊料4与铜引线2焊接,硅橡胶5将多层硅芯片1及两端的焊料4包裹在其中,而整个超高压贴片二极管除两根铜引线2的外露端头22外,其余部分均包裹在所述环氧塑封体3内,为了减小二极管元件体积, 环氧塑封体3呈扁平状,其长度为3. 8 4. 6mm,厚度为1. 98 2. 3mm。为适应环氧塑封体3的外形,所述两根铜引线2的外漏端头22经打扁、整形处理呈扁平状。为了防止铜引线2松动,在两根铜引线2的塑封段21上分别设置有凸台23,将凸台23塑封在环氧树脂中,增强环氧塑封体3的密封性能。权利要求1.一种超高压贴片二极管,其特征在于包括多层硅芯片(1)、两根铜引线(2)以及环氧塑封体(3),所述多层硅芯片(1)位于两根铜引线(2)之间,该多层硅芯片(1)通过焊料 (4)与铜引线(2)焊接,硅橡胶(5)将多层硅芯片(1)及两端的焊料(4)包裹在其中,而整个超高压贴片二极管除两根铜引线(2 )的外露端头(22 )外,其余部分均包裹在所述环氧塑封体(3)内,该环氧塑封体(3)呈扁平状。2.根据权利要求1所述一种超高压贴片二极管,其特征在于所述两根铜引线(2)的外漏端头(22)经打扁、整形处理呈扁平状。3.根据权利要求1所述一种超高压贴片二极管,其特征在于在两根铜引线(2)的塑封段(21)上分别设置有凸台(23)。专利摘要本技术公开了一种超高压贴片二极管,包括多层硅芯片、两根铜引线以及环氧塑封体,所述多层硅芯片位于两根铜引线之间,该多层硅芯片通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将多层硅芯片及两端的焊料包裹在其中,而整个超高压贴片二极管除两根铜引线的外露端头外,其余部分均包裹在所述环氧塑封体内,该环氧塑封体呈扁平状。其显著效果是结构简单,将轴向封装的二极管改为贴片封装,不仅具有耐高压的特点,而且适应了产品小型化的发展趋势,元件的性能也比较稳定,提高了市场竞争力。文档编号H01L33/54GK202332968SQ20112049494公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月2日 优先权日2011年12月2日专利技术者潘宜虎 申请人:重庆平伟实业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:潘宜虎
申请(专利权)人:重庆平伟实业股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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