【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，特别是涉及一种芯片顶面散热的封装结构。
技术介绍
1、功率半导体器件在工作时会产生大量的热量，这会导致器件的温度升高。当温度过高时，会影响到器件的工作特性，甚至会使其失效。如何快速、高效地将产生的热量散发出去，并维持器件温度在一个安全范围内是评价功率器件优良的一个重要指标。
2、业内普遍采用底部散热，将半导体器件产生的废热经由基板的铜箔传导出去。但基板的热导率不高，并且会增加芯片到散热装置的热量路径，从而增加了器件的热阻，所以采用基板进行散热的能力是有限的。随着输出功率的提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和高压功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。
3、因此，需要一种新的方案解决上述问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片顶面散热的封装结构，用于解决现有技术中半导体器件散热效率低的问题。
2、为实现上述目的...
【技术保护点】
1.一种芯片顶面散热的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述右引脚与所述框架本体一体成型，所述左引脚与所述框架本体单独设置，所述左引脚通过所述导热件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求1或2所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚单独设置，且所述第一引脚与所述导热件电连接，所述第二引脚与所述芯片的栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述芯片通过焊料与所述基岛连接，所述导热件的两端...
【技术特征摘要】
1.一种芯片顶面散热的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述右引脚与所述框架本体一体成型，所述左引脚与所述框架本体单独设置，所述左引脚通过所述导热件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求1或2所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚单独设置，且所述第一引脚与所述导热件电连接，所述第二引脚与所述芯片的栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述芯片通过焊料与所述基岛连接，所述导热件的两端分别与所述芯片和所述第一引脚通过焊料连接。
5.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚的末端朝向所述右引脚的方向弯折形成第一焊接部；所述右引脚的末端朝向所述左引脚的方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐正，徐向涛，夏大权，闫瑞东，唐鑫，文晓东，郭磊，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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