【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，特别是涉及一种芯片顶面散热的封装结构。
技术介绍
1、功率半导体器件在工作时会产生大量的热量，这会导致器件的温度升高。当温度过高时，会影响到器件的工作特性，甚至会使其失效。如何快速、高效地将产生的热量散发出去，并维持器件温度在一个安全范围内是评价功率器件优良的一个重要指标。
2、业内普遍采用底部散热，将半导体器件产生的废热经由基板的铜箔传导出去。但基板的热导率不高，并且会增加芯片到散热装置的热量路径，从而增加了器件的热阻，所以采用基板进行散热的能力是有限的。随着输出功率的提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和高压功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。
3、因此，需要一种新的方案解决上述问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种芯片顶面散热的封装结构，用于解决现有技术中半导体器件散热效率低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种芯片顶面散热的封装结构，具体是这样设置的：包括引线框架、芯片和封装体，所述引线框架包括框架本体和分别设置在所述框架本体两侧的左引脚和右引脚，所述左引脚和右引脚配置成用于抬高所述框架本体，且所述框架本体上设置有基岛；所述芯片设置在所述基岛上，所述芯片背离所述框架本体的一面连接有导热件；所述封装体封装于所述芯片、所述导热件和所述引线框架外部，所述左引脚和所述右引脚的末端均
3、可选地，所述右引脚与所述框架本体一体成型，所述左引脚与所述框架本体单独设置，所述左引脚通过所述导热件与所述芯片电连接。
4、可选地，所述左引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚单独设置，且所述第一引脚与所述导热件电连接，所述第二引脚与所述芯片的栅极电连接。
5、可选地，所述芯片通过焊料与所述基岛连接，所述导热件的两端分别与所述芯片和所述第一引脚通过焊料连接。
6、可选地，所述左引脚的末端朝向所述右引脚的方向弯折形成第一焊接部；所述右引脚的末端朝向所述左引脚的方向弯折形成第二焊接部。
7、可选地，所述第一焊接部与所述第二焊接部等高设置。
8、可选地，所述封装体背离所述框架本体的一侧设置有支撑凸台，所述支撑凸台的最高点低于所述第一焊接部和/或所述第二焊接部。
9、可选地，所述基岛与所述芯片的漏极电连接，所述导热件与所述芯片的源极电连接。
10、可选地，所述左引脚和所述右引脚均设置有多个，多个所述左引脚平行布置，多个所述右引脚平行布置，以支撑所述框架本体。
11、可选地，所述导热件背离所述芯片的一侧设置有凹槽，以增大所述导热件的散热面积。
12、如上所述，本技术的一种芯片顶面散热的封装结构，具有以下有益效果：
13、芯片连接在基岛上从而与引线框架连接，由于左引脚和右引脚抬高了引线框架，当引线框架通过左引脚和右引脚焊接在基板上时，引线框架悬空于基板上，即芯片悬空于基板上，且芯片的两个相对面上，一面设置有导热件，将芯片产生的废热导热到封装体上以辅助芯片散热；另一面可以通过外露于封装体的引线框架进行散热，可以实现芯片顶面快速散热的目的，可以减小芯片到散热装置的热量路径，提高封装结构的散热能力，降低封装结构的热阻，有利于封装结构的温度维持在安全范围，有利于提高封装结构的使用寿命。
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1.一种芯片顶面散热的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述右引脚与所述框架本体一体成型，所述左引脚与所述框架本体单独设置，所述左引脚通过所述导热件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求1或2所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚单独设置，且所述第一引脚与所述导热件电连接，所述第二引脚与所述芯片的栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述芯片通过焊料与所述基岛连接，所述导热件的两端分别与所述芯片和所述第一引脚通过焊料连接。
5.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚的末端朝向所述右引脚的方向弯折形成第一焊接部；所述右引脚的末端朝向所述左引脚的方向弯折形成第二焊接部。
6.根据权利要求5所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述第一焊接部与所述第二焊接部等高设置。
7.根据权利要求5或6所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述基岛与所述芯片的漏极电连接，所述导热件与所述芯片的源极电连接。
9.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚和所述右引脚均设置有多个，多个所述左引脚平行布置，多个所述右引脚平行布置，以支撑所述框架本体。
10.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述导热件背离所述芯片的一侧设置有凹槽，以增大所述导热件的散热面积。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片顶面散热的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述右引脚与所述框架本体一体成型，所述左引脚与所述框架本体单独设置，所述左引脚通过所述导热件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求1或2所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚与所述第二引脚单独设置，且所述第一引脚与所述导热件电连接，所述第二引脚与所述芯片的栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述芯片通过焊料与所述基岛连接，所述导热件的两端分别与所述芯片和所述第一引脚通过焊料连接。
5.根据权利要求1所述的芯片顶面散热的封装结构，其特征在于：所述左引脚的末端朝向所述右引脚的方向弯折形成第一焊接部；所述右引脚的末端朝向所述左引脚的方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐正，徐向涛，夏大权，闫瑞东，唐鑫，文晓东，郭磊，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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