【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率半导体电力电子器件，具体涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管。
技术介绍
1、碳化硅(sic)具有优异的材料性能，作为取代si的下一代功率半导体材料备受关注，且随着功率集成电路的发展，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶管(metal-oxide-semicondu ctor field-effect transistor，mosfet)的应用发展越来越成熟。相比于双极性器件，mos fet具备可以逆向导通的无与伦比的优势。然而，当应用传统碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(conventional mental oxide semiconductor field effecttransmetor，c-mos)器件逆向导通时，由于c-mos的体二极管双极导通，导致其高反向导通电压，这将增加电路中的消耗。碳化硅/硅的异质结结构金属氧化物半导体场效应晶体管在这样的背景下得到了发展，它通过碳化硅/硅的异质结结构，降低了反向导通时的电子势垒，从而降低反向导通电压。
2、在相关技术中，碳化硅/硅的异质结结构金属氧化物半导体...
【技术保护点】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型电流传导区域与所述第二导电类型体区域、所述重掺杂第一导电类型源极接触区域形成两个第一凹槽，所述第一凹槽内设置有栅极氧化层，所述第一导电类型电流传导区域与两个所述第一导电类型硅材料异质结区域形成第二凹槽，所述第二凹槽内设置有虚拟栅极氧化层。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源极金属层覆盖于部分所述重掺杂第二导电类型沟槽区域、重掺杂第一导电类型源极接触区域、重掺杂第一导电类...
【技术特征摘要】
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型电流传导区域与所述第二导电类型体区域、所述重掺杂第一导电类型源极接触区域形成两个第一凹槽，所述第一凹槽内设置有栅极氧化层，所述第一导电类型电流传导区域与两个所述第一导电类型硅材料异质结区域形成第二凹槽，所述第二凹槽内设置有虚拟栅极氧化层。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源极金属层覆盖于部分所述重掺杂第二导电类型沟槽区域、重掺杂第一导电类型源极接触区域、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅区域、栅极氧化层、第一导电类型硅材料异质结区域、重掺杂第二导类型硅材料屏蔽区域、重掺杂第一导电类型虚拟栅极多晶硅区域、虚拟栅极氧化层之上。
4.根据权利要求3所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二导电类型体区域在竖直方向介于所述第一导电类型电流传导区域和重掺杂第一导电类型源极接触区...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向涛，俞齐声，陈文锁，张成方，王航，张力，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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