【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及适合用于单晶硅的提拉的。
技术介绍
在单晶硅制造中采用使用氧化硅玻璃坩埚(以下，也有只称为“坩埚”)的切克劳斯基法(CZ法)。在CZ法中，在氧化硅玻璃坩埚内存积有熔化多晶硅原料的硅熔液。然后， 将单晶硅晶种浸渍在硅熔液并慢慢提拉，从而以晶种为核使单晶硅进行生长。在这种CZ法中使用的氧化硅玻璃坩埚，通过所谓旋转模具法，即，向旋转模具内供给氧化硅粉形成氧化硅粉层，并利用碳电极的电弧放电加热溶化该氧化硅粉层来制造。 在旋转模具法中，电弧熔化的部分成为高达超过2000°C的温度。此外，这样被制造的氧化硅玻璃坩埚，被做成为由含有许多气泡的外层和透明的内层构成的两层结构。在此，已知内层表面(单晶提拉时与硅熔液接触的内表面)的特性， 左右能提拉的单晶硅的特性，也给最终的硅晶片的收获率带来影响。具体来讲，例如，使用氧化硅玻璃坩埚来提拉单晶时，在硅熔液的液面产生波紋， 难以通过适当浸渍晶种而进行配种(seeding)。这时出现不能提拉单晶硅，或者，单晶化被妨碍的问题。这种现象被称作熔液面振动，随着最近的单晶硅的大口径化，变得越发容易发生。此外，已知这样的熔液面振动...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：须藤俊明，铃木江梨子，
申请(专利权)人：日本超精石英株式会社，
类型：发明
国别省市：
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