氧化硅玻璃坩埚制造技术

本发明专利技术提供一种设置有基准点的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，藉由该基准点能正确掌握氧化硅玻璃坩埚的缺陷位置，从而可用于特定单晶硅的缺陷发生部位以及查明缺陷发生原因。对于本发明专利技术的氧化硅玻璃坩埚，在其坩埚边缘部、内壁面以及外壁面之中的至少一处，设置用以特定与规定部位之间的位置关系的基准点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种单晶硅拉晶用氧化硅(silica)玻璃坩埚。
技术介绍
支撑现今IT化社会的电子技术中，应用于此技术中的半导体设备等的制造上硅晶片是不可或缺的。这种硅晶片的特征之一是具有氧析出物、位错、氧层积缺陷等的微小缺陷。这种微小缺陷一方面具有可以捕获在设备工艺中发生的重金属污染的有益效果，另一方面，会成为设备不良的原因。从而，根据设备种类或所使用的设备工艺的不同，有必要将单晶硅结晶中的氧浓度调整为规定浓度。目前，作为单晶硅的制造方法，通常采用被称为切克劳斯基法(Czochralski，下称 CZ法)的单晶硅拉晶方法。另外，还有一种是被称为MCZ法(Magneticfield applied CZ 法)的方法，该方法是一种在CZ法上施加强有力的磁场的方法。在CZ法中，一般来讲，金属杂质的浓度为几ppb (Ippb等于十亿分之一)以下的高纯度多晶硅和电阻率调整用掺杂剂(硼(B)或磷(P)) —同放入到高纯度氧化硅玻璃坩埚内，并在大约1420°C的温度下进行熔化。其次，将晶种硅棒接触到硅熔液的液面上，旋转晶种或氧化硅玻璃坩埚，将晶种减细(无位错化)之后提升，由此获得具有与晶种相本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氧化硅玻璃坩埚，其包括具有上面开口之边缘部的圆筒形直筒部、研钵状的底部、连接直筒部与底部之角部，其特征在于：该边缘部，该氧化硅玻璃坩埚的内壁面以及外壁面之中的至少一处设置有固定式基准点，该基准点用以特定与规定部位之间的位置关系。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：须藤俊明，
申请(专利权)人：日本超精石英株式会社，
类型：发明
国别省市：JP