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本发明提供一种设置有基准点的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚，藉由该基准点能正确掌握氧化硅玻璃坩埚的缺陷位置，从而可用于特定单晶硅的缺陷发生部位以及查明缺陷发生原因。对于本发明的氧化硅玻璃坩埚，在其坩埚边缘部、内壁面以及外壁面之中的至少一处，设置...
该专利属于日本超精石英株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本超精石英株式会社授权不得商用。

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