【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆测试领域，特别涉及一种。
技术介绍
在芯片制造流程上，主要可分为IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步马聚ο晶圆初始通常为4英寸，6英寸，8英寸，12英寸等直径规格的圆形硅片。在晶圆制程阶段，会在晶圆上形成紧密规则分布的数量很大的晶片，根据不同晶片大小，一个晶圆上可以存在着几十至几十万颗晶片。而在晶圆测试阶段，通常是由测试机台与探针卡共同构建一个测试环境，在此环境下测试晶圆上的晶片，以确保各个晶片的电气特性与功能都符合设计的规格和规范。未能通过测试的晶片将会被标记为不良产品或者坏片，在其后的切割封装阶段将被剔除。只有通过测试的晶片才会被封装为芯片。在晶圆测试阶段，为了提高芯片的良率和质量，通常还需要对芯片的若干参数进行必要的修调和编程，从而实现更高性能或者差异化的功能。晶圆测试对于降低芯片的生产成本和提高芯片的质量是非常必要的。而一个优质的芯片测试环境将是这一切的一个非常重要的保证。现有技术中的一种晶圆测试方法为对于一种型号的晶片，预先设计提供一套探针卡，该探针卡上包括用于测量晶片电信号的测量探针和用于修调和编程晶片的熔断探针；首先，通过...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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