镀膜件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种镀膜件，其包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜，该透明导电薄膜为Me掺杂TiO2薄膜，其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。本发明专利技术所述镀膜件在基材的表面沉积透明导电薄膜，该透明导电薄膜通过高价态的V5+、Nb5+及Ta5+中的两种或两种以上取代部分Ti4+，从而产生自由电子，获得较高的导电率。该透明导电薄膜具有良好的稳定性，可有效地提高镀膜件的使用寿命。另外该透明导电薄膜还具有高透光性。此外，本发明专利技术还提供一种上述镀膜件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜由于具有良好的导电性和可见光透过率，在光电池和液晶显示等领域有着广泛的应用。氧化铟锡(ITO)薄膜是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜。由于 ITO薄膜含有贵金属铟，成本较高，研究者开始寻求另外的替代产品。TiO2原料丰富，价格便宜，无毒且稳定性高，因此TiA薄膜是目前最有开发潜力的薄膜材料之一。将TiA薄膜镀覆于基材上形成镀膜件，但是TiO2薄膜的电导率较低，从而限制了此类镀膜件的进一步应用。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。另外，还有必要提供一种制备上述镀膜件的方法。一种镀膜件，包括基材及形成于基材表面的透明导电薄膜，该透明导电薄膜为Me 掺杂二氧化钛薄膜，其中Me为钒、铌及钽中的两种或两种以上。—种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤提供基材；在基材表面形成透明导电薄膜，该透明导电薄膜为Me掺杂二氧化钛薄膜，其中Me 为钒、铌及钽中的两种或两种以上。本专利技术所述镀膜件在基材的表面沉积透明导电薄膜，该透明导电薄膜通过在二氧化钛薄膜中引入钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta)中的两种或两种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张新倍，陈文荣，蒋焕梧，陈正士，黄嘉，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：